时间：2025/6/18 11:40:39
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HH18N471J500CT是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件采用TO-220封装形式，具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
这款MOSFET通过优化的芯片设计和制造工艺，在高频开关应用中表现出色，同时具有良好的热稳定性和可靠性，适合工业级及消费级电子产品中的多种应用场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：50A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：38nC
输入电容：1200pF
开关速度：典型值10ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
HH18N471J500CT的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提升整体效率。
2. 高电流承载能力，支持高达50A的连续漏极电流。
3. 优异的热性能，能够在高温环境下长期稳定运行。
4. 快速开关速度，非常适合高频开关电源和其他高速切换电路。
5. 强大的抗静电能力（ESD保护），提高了器件的可靠性和耐用性。
6. 具备出色的雪崩能力和鲁棒性，可应对各种异常工况下的冲击。
HH18N471J500CT适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 汽车电子系统中的负载开关。
4. 工业设备中的功率管理模块。
5. UPS不间断电源以及电池管理系统。
6. 各种需要高效功率转换的消费类电子产品。
IRF540N
STP55NF06
FDP55N06L
