LBZT52MB6V8T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装(SMT)双向电压抑制二极管(TVS - Transient Voltage Suppressor),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和瞬态电压的损害。该器件采用SOD-523封装,适用于高精度敏感电路的过压保护。LBZT52MB6V8T1G 提供了低箝位电压和快速响应时间,广泛应用于便携式消费电子产品、通信设备和工业控制系统中。
类型:双向TVS二极管
工作电压:6.8 V
最大反向工作电压(VRWM):6.8 V
击穿电压(VBR):7.56 V(最小) - 8.35 V(最大)
最大箝位电压(VC):13.6 V(在峰值脉冲电流IPP=50A时)
峰值脉冲电流(IPP):50 A
响应时间(tRESP):小于1 ns
封装形式:SOD-523
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
LBZT52MB6V8T1G 是一款高效的双向瞬态电压抑制二极管,具备多项关键性能优势。首先,它具有极快的响应时间,通常小于1纳秒,能够在瞬态电压事件发生时迅速导通,将多余的电压能量引导至地,从而保护后级电路。其次,该器件的箝位电压较低,在峰值脉冲电流为50A时,最大箝位电压仅为13.6V,有效降低了对被保护元件的应力。
此外,LBZT52MB6V8T1G 的工作电压为6.8V,适用于保护5V及以下逻辑电路,特别适合用于USB接口、HDMI接口、以太网端口等易受静电干扰的高速数据线路。该TVS二极管采用SOD-523小型封装,节省PCB空间,适用于高密度布局的便携式设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
该器件的反向击穿电压范围为7.56V至8.35V,确保在正常工作电压下不导通,同时在电压超过安全阈值时快速动作。其额定的ESD耐受能力高达±30kV(接触放电),符合IEC 61000-4-2 Level 4标准,适用于工业和消费类电子产品的电磁兼容性(EMC)设计。
LBZT52MB6V8T1G 具有良好的热稳定性和重复使用性能,能够承受多次高能量瞬态冲击而不损坏。其低漏电流特性也确保了在待机状态下对系统功耗的影响极小。综合来看,该TVS器件是一款高可靠性、高性能的电路保护元件,广泛应用于需要高精度保护的电子系统中。
LBZT52MB6V8T1G 主要用于各种电子设备中的电路保护,尤其适用于需要对抗静电放电(ESD)和瞬态电压干扰的场合。典型应用包括USB接口、HDMI接口、以太网接口、RS-232串口、键盘/触摸屏控制线路等高速数据通信接口的保护。它也常用于便携式消费电子产品,如智能手机、平板电脑、智能手表和笔记本电脑,以确保这些设备在频繁插拔和操作过程中不会因静电或电压突变而损坏。
此外,该器件还可用于工业控制系统、自动化设备、传感器接口和通信模块的电路保护,提供高可靠性和稳定性。在汽车电子领域,LBZT52MB6V8T1G 可用于车载娱乐系统、CAN总线接口和车身控制模块,以应对复杂电磁环境下的电压瞬变问题。
由于其小型SOD-523封装和优异的电气性能,LBZT52MB6V8T1G 非常适合用于空间受限且对EMC(电磁兼容性)有严格要求的设计。其双向保护能力也使其适用于差分信号线的保护,如USB 2.0和HDMI的信号传输线路。总之,LBZT52MB6V8T1G 是一款广泛应用于现代电子系统中,提供高效、可靠、紧凑型电压保护的理想选择。
SMBJ6.8B, PESD5V0S1BA, TVS05-6V8B, BAV99W