LBZT52MB6V2T1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),设计用于提供精确的电压参考和电压调节功能。该器件采用SOD-523封装,适用于高密度PCB布局和自动化装配流程。LBZT52MB6V2T1G的标称齐纳电压为6.2V,在测试电流下具有良好的电压稳定性和低动态电阻,适合用于便携式设备、电源管理电路和电压监测系统。
类型:齐纳二极管
封装类型:SOD-523
功率耗散:200 mW
最大齐纳电压(IZT):6.2 V
测试电流(IZT):5 mA
最小齐纳电压公差:±2%
最大反向漏电流(IR@VR):100 nA @ 1 V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
LBZT52MB6V2T1G 齐纳二极管具有多项优良特性,适用于需要稳定参考电压的应用场景。其主要特性包括高精度的电压调节能力,±2%的电压公差确保了输出电压的高度一致性,适用于对电压精度要求较高的电路设计。该器件的动态电阻较低,有助于在负载变化时维持稳定的输出电压,减少电压波动对电路性能的影响。
此外,LBZT52MB6V2T1G 采用SOD-523小尺寸表面贴装封装,适用于空间受限的高密度PCB设计,并支持自动贴片工艺,提高了生产效率和装配可靠性。该器件的最大功率耗散为200 mW,能够在中等功率应用中提供稳定的电压调节性能。
其反向漏电流非常低(最大100nA @ 1V),在低功耗和待机模式下表现优异,适用于电池供电设备和节能系统。工作温度范围宽达-55°C至+150°C,使其在恶劣环境条件下仍能保持稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。
LBZT52MB6V2T1G 主要用于需要稳定参考电压的电子系统中,如电源管理模块、电压监测电路、电池充电控制电路、电压基准源以及信号调节电路等。该器件适用于便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备)中的电压调节和保护电路,确保系统在不同负载条件下维持稳定的工作电压。
在工业控制系统中,LBZT52MB6V2T1G可用于传感器信号调理、ADC参考电压源以及过压保护电路。其低漏电流和高稳定性的特点也使其适用于精密测量仪器和测试设备中的基准电压源。此外,该齐纳二极管还可用于汽车电子系统中的电压调节和保护功能,如车载电源、仪表盘控制模块和ECU(电子控制单元)中的参考电压源。
MMBZ5241B-7-F, BZT52-B6V2, BZT52C6V2