H5TQ2G63BFR-PBC 时间：2025/4/30 12:11:50 阅读：4

H5TQ2G63BFR-PBC 是一款由海力士（SK Hynix）生产的存储芯片，属于 NAND Flash 存储器系列。该芯片采用 3D TLC NAND 技术，提供高密度和高性能的存储解决方案，适用于消费电子、工业设备及嵌入式系统等应用领域。
　　该型号具有较低的功耗和较高的可靠性，适合需要大容量数据存储的应用场景。

参数

容量：256GB
　　接口：Toggle DDR 2.0
　　工作电压：1.8V / 3.3V
　　封装形式：eMCP (Enhanced Multi-Chip Package)
　　存储技术：3D TLC NAND
　　页大小：16KB
　　块大小：2MB
　　通道数：8
　　最大读取速度：400 MB/s
　　最大写入速度：200 MB/s
　　擦除周期：3000 次

特性

H5TQ2G63BFR-PBC 使用了先进的 3D TLC NAND 技术，与传统 2D NAND 相比，它在单位面积上提供了更高的存储密度，同时降低了成本。此外，这款芯片支持 Toggle DDR 2.0 接口，能够实现更快的数据传输速率。
　　它的低功耗设计使其非常适合便携式设备，如智能手机和平板电脑。通过优化的错误纠正码（ECC）算法和磨损均衡技术，该芯片能够在长时间使用中保持较高的可靠性和稳定性。
　　另外，该芯片还具备良好的耐久性，其擦除周期达到 3000 次，满足一般消费类和工业类应用的需求。

应用

H5TQ2G63BFR-PBC 广泛应用于多种设备和领域，包括但不限于：
　　1. 智能手机和其他移动设备的内部存储。
　　2. 平板电脑和个人数字助理（PDA）。
　　3. 固态硬盘（SSD）以及其他存储设备。
　　4. 工业控制和自动化系统中的数据记录与存储。
　　5. 嵌入式系统的固件存储。
　　6. 汽车电子领域的导航和信息娱乐系统。
　　7. 网络通信设备中的配置文件和日志存储。