CBR02C479B3GAC是一款表面贴装型陶瓷电容器,属于C0G(NP0)介质类型。该型号的电容器具有高稳定性和低损耗特性,适用于高频电路中的滤波、耦合和旁路等应用。C0G介质确保了其在宽温度范围内的容量稳定性,使其成为对温度敏感设计的理想选择。
这款电容器由知名制造商生产,符合RoHS标准,并采用先进的制造工艺,以确保可靠性和高性能表现。
容值:4.7nF
额定电压:100V
封装形式:0201
介质材料:C0G (NP0)
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
公差:±5%
尺寸:0.6mm x 0.3mm
ESR:≤0.05Ω
DF(耗散因数):<0.001
CBR02C479B3GAC采用了C0G介质,这是一种温度补偿型陶瓷介质,其容量几乎不受温度变化的影响。它的容量与温度的关系呈现零温度系数(±30ppm/℃),因此即使在极端环境条件下,也能够保持稳定的性能。
此外,这款电容器还具备极低的介电损耗和高Q值,使其非常适合射频和微波电路应用。由于其小尺寸封装(0201),该元件非常适用于空间受限的设计,同时支持高效的自动化装配过程。
它还具有良好的抗湿性和耐焊接热性,从而增强了长期使用的可靠性。这些特点使得CBR02C479B3GAC成为精密通信设备、医疗电子、航空航天以及工业控制等领域的理想选择。
CBR02C479B3GAC广泛应用于需要高稳定性和低损耗特性的场合,包括但不限于以下领域:
1. 射频和微波电路中的滤波和匹配网络。
2. 高速数字电路中的去耦和电源旁路。
3. 振荡器和定时电路中的频率稳定组件。
4. 医疗设备中的信号调理电路。
5. 航空航天和军工设备中的关键信号链路。
6. 工业自动化系统中的噪声抑制和信号隔离部分。
由于其卓越的电气性能和机械强度,这款电容器能够适应各种严苛的应用场景。
CC02C479B3GCNC, KBR02C479B3GAC, CBR02C479B3GACT