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LBZT52MB11T1G 发布时间 时间:2025/8/13 1:59:18 查看 阅读:15

LBZT52MB11T1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一种表面贴装(SMT)齐纳二极管(Zener Diode),属于小型SOD-523封装类型。该器件主要用于电压调节、参考电压源以及过压保护电路中。由于其紧凑的封装和稳定的性能,LBZT52MB11T1G广泛应用于便携式电子产品、电源管理系统和模拟电路设计中。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOD-523
  最大齐纳电压:11.0 V
  齐纳电压容差:±2%
  额定功率:200 mW
  最大连续齐纳电流:20 mA
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  引脚数:2
  极性:单向

特性

LBZT52MB11T1G 齐纳二极管具有多项优良特性,适合用于需要稳定参考电压的电路设计中。首先,其齐纳电压为11V,具备±2%的高精度容差,能够提供较为稳定的电压基准。其次,器件采用SOD-523超小型封装,适用于空间受限的高密度PCB设计,尤其适合便携式设备和消费类电子产品。此外,该器件的最大功耗为200毫瓦,能够在低功耗条件下稳定工作。LBZT52MB11T1G的齐纳电流额定值为20mA,确保在多种工作条件下都能维持稳定的电压调节性能。其宽广的工作温度范围(-55°C至+150°C)也使其适用于工业级和汽车电子系统中,具备良好的热稳定性和可靠性。器件的反向漏电流极低,在非工作状态下不会显著影响电路性能,有助于提升系统的能效。最后,LBZT52MB11T1G采用无铅封装,符合RoHS环保标准,符合现代电子产品对环保的要求。
  该器件的封装形式为SMD(表面贴装),方便自动化生产并提高装配效率。同时,其短路保护和过压抑制能力也使其适用于电源管理和电压保护电路中,例如电池充电管理、DC-DC转换器和稳压器等应用。在实际应用中,LBZT52MB11T1G通常与限流电阻配合使用,以确保其工作在安全的电流范围内,避免因过流导致的热损坏。

应用

LBZT52MB11T1G 主要用于以下应用领域:
  ? 电压参考源:在模拟电路、ADC/DAC模块中提供稳定的11V参考电压。
  ? 电压调节:用于低功耗稳压电路或辅助稳压电路中,维持系统电压的稳定性。
  ? 过压保护:在电源管理、电池充电器等电路中作为电压钳位元件,防止瞬态高压损坏后续电路。
  ? 信号电平转换:用于不同电压域之间的信号接口转换,例如将5V逻辑信号转换为3.3V逻辑信号。
  ? 工业控制与汽车电子:适用于工业自动化设备、车载电源系统等对温度和可靠性要求较高的环境。
  ? 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式设备中的电源管理单元。
  ? 电源监控:用于电源监控电路中,作为电压检测和比较电路的基准源。
  在实际电路设计中,LBZT52MB11T1G通常需要与限流电阻配合使用,以防止过大的齐纳电流导致器件损坏。此外,在高温环境下,设计者还需考虑其热降额问题,以确保其长期工作的稳定性与可靠性。

替代型号

MMBZ5241B-11, BZX84C11LT1G, 1N4742A, ZMMB11

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