时间：2025/7/11 12:20:01
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IPD230N06NG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于各种开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等应用场合。
该 MOSFET 的最大漏源电压为 60V，能够满足大多数低压应用的需求。其额定连续漏极电流高达 48A（在特定条件下），使其能够在高电流环境中稳定运行。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总栅极电荷：107nC（典型值）
输入电容：1840pF（典型值）
反向恢复时间：12ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IPD230N06NG 提供了出色的性能表现，包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适合高频开关应用。
3. 较低的栅极电荷，减少了驱动功耗。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 具备出色的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池保护和负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率管理。
5. 汽车电子系统中的高压侧开关。
6. LED 照明驱动和逆变器设计。
IPB230N06N
IPC230N06N
