类型：齐纳二极管
　　齐纳电压：10V
　　容差：±2%
　　最大耗散功率：300mW
　　封装形式：SOD-123
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ 150°C
　　最大反向电流（IR）：100nA（@ VZ = 10V）

LBZT52MB10T1G 是一款高精度、低功耗的齐纳二极管，其主要特性包括高电压稳定性和低温度系数。该器件采用先进的硅技术制造，确保了在各种工作条件下的稳定性和可靠性。SOD-123 封装形式使其具有较小的体积，适用于高密度 PCB 设计。此外，该齐纳二极管具有良好的热稳定性和快速响应能力，能够在电压波动时迅速调整，确保电路的稳定运行。其 ±2% 的容差保证了在关键应用中电压调节的精确性，适用于电源管理、基准电压源和过压保护等多种场景。
　　该器件的低漏电流特性在反向截止状态下表现出色，确保在非工作状态下的能耗最低。同时，LBZT52MB10T1G 在制造过程中符合 RoHS 标准，适用于环保要求较高的电子产品设计。其高可靠性使其在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中广泛使用。

LBZT52MB10T1G 主要用于需要电压调节和基准电压的电子电路中。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电池管理系统、电压监测电路以及信号调理电路中的参考电压源。此外，该器件也可用于过压保护电路，以防止敏感电子元件受到电压尖峰的损害。由于其高稳定性和精确的电压容差，LBZT52MB10T1G 特别适合用于精密模拟电路、测试测量设备以及工业自动化控制系统中的电压参考源。
　　在汽车电子领域，该齐纳二极管可用于车载电源管理模块、传感器信号调节电路以及车载娱乐系统的电压稳压部分。在消费类电子产品中，它常用于手机充电电路、平板电脑的电源管理系统以及家用电器的控制板电压调节。

BZX84C10LT1G, MMSZ5240B-13-FG, ZMM10