LBZT52C39T1G 时间：2025/8/14 1:15:18 阅读：22

LBZT52C39T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的表面贴装（SMT）齐纳二极管（Zener Diode），适用于各种电压调节和参考电压应用。该器件的额定齐纳电压为39V，具有低动态阻抗和良好的温度稳定性，适合用于需要稳定电压参考的电子电路中。

参数

类型：齐纳二极管
　　最大齐纳电流：20 mA
　　齐纳电压：39 V
　　最大耗散功率：200 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-123
　　最大反向漏电流：100 nA @ VZ -5 V
　　最大动态阻抗：800 Ω

特性

LBZT52C39T1G 具备多项优异的电气和物理特性。首先，其齐纳电压为39V，能够在较宽的电流范围内保持稳定的电压输出，确保电路的可靠性和稳定性。
　　其次，该器件的动态阻抗较低，通常在800Ω以下，有助于减少电压波动并提高稳压性能。此外，LBZT52C39T1G 的工作温度范围宽，可在-55°C至+150°C之间正常运行，适应各种恶劣环境条件。
　　封装方面，采用SOD-123小型表面贴装封装，节省电路板空间，适用于高密度PCB布局，并具有良好的热管理和机械强度。
　　同时，该齐纳二极管的最大反向漏电流为100nA，在低电压条件下仍能保持较低的泄漏特性，适合用于高精度的模拟电路和低功耗系统。
　　最后，LBZT52C39T1G 的最大耗散功率为200mW，能够承受一定的功率负荷，适用于多种中低功率稳压应用。

应用

LBZT52C39T1G 主要用于电源管理、电压参考、过压保护和稳压电路中。在模拟电路中，它可作为基准电压源，为运算放大器、ADC/DAC等提供稳定电压参考。
　　在电源电路中，可用于稳压输出或作为反馈参考点，确保输出电压的稳定性。此外，该器件也可用于电池管理系统、工业控制设备、通信模块以及消费类电子产品中，以提高系统的可靠性和稳定性。
　　由于其SOD-123封装的小型化设计，LBZT52C39T1G 特别适合用于空间受限的便携式设备和高密度PCB布局场合。