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LBZT52C39T1G 发布时间 时间:2025/8/14 1:15:18 查看 阅读:18

LBZT52C39T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的表面贴装(SMT)齐纳二极管(Zener Diode),适用于各种电压调节和参考电压应用。该器件的额定齐纳电压为39V,具有低动态阻抗和良好的温度稳定性,适合用于需要稳定电压参考的电子电路中。

参数

类型:齐纳二极管
  最大齐纳电流:20 mA
  齐纳电压:39 V
  最大耗散功率:200 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOD-123
  最大反向漏电流:100 nA @ VZ -5 V
  最大动态阻抗:800 Ω

特性

LBZT52C39T1G 具备多项优异的电气和物理特性。首先,其齐纳电压为39V,能够在较宽的电流范围内保持稳定的电压输出,确保电路的可靠性和稳定性。
  其次,该器件的动态阻抗较低,通常在800Ω以下,有助于减少电压波动并提高稳压性能。此外,LBZT52C39T1G 的工作温度范围宽,可在-55°C至+150°C之间正常运行,适应各种恶劣环境条件。
  封装方面,采用SOD-123小型表面贴装封装,节省电路板空间,适用于高密度PCB布局,并具有良好的热管理和机械强度。
  同时,该齐纳二极管的最大反向漏电流为100nA,在低电压条件下仍能保持较低的泄漏特性,适合用于高精度的模拟电路和低功耗系统。
  最后,LBZT52C39T1G 的最大耗散功率为200mW,能够承受一定的功率负荷,适用于多种中低功率稳压应用。

应用

LBZT52C39T1G 主要用于电源管理、电压参考、过压保护和稳压电路中。在模拟电路中,它可作为基准电压源,为运算放大器、ADC/DAC等提供稳定电压参考。
  在电源电路中,可用于稳压输出或作为反馈参考点,确保输出电压的稳定性。此外,该器件也可用于电池管理系统、工业控制设备、通信模块以及消费类电子产品中,以提高系统的可靠性和稳定性。
  由于其SOD-123封装的小型化设计,LBZT52C39T1G 特别适合用于空间受限的便携式设备和高密度PCB布局场合。

替代型号

1N4739A, BZX84-C39, MM5Z39V, ZMM39

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