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LBZT52B2V0T1G 发布时间 时间:2025/8/13 11:50:02 查看 阅读:18

LBZT52B2V0T1G 是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的表面贴装稳压二极管(齐纳二极管),专为低功耗稳压应用设计。该器件采用SOD-523封装,适用于便携式电子设备、电池供电系统以及其他需要稳定电压的电路中。LBZT52B2V0T1G 的标称齐纳电压为2.0V,额定功耗低,适合高密度PCB布局。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOD-523
  标称齐纳电压:2.0V
  容差:±5%
  额定功率:200mW
  最大齐纳电流:100mA
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

LBZT52B2V0T1G 稳压二极管具有多项优异特性,适用于多种低功耗稳压场景。其主要特性之一是低齐纳电压,2.0V 的标称电压非常适合用于低电压系统的参考电压源和稳压保护。器件的容差为±5%,确保了在不同工作条件下电压的稳定性,从而提高了系统的可靠性。
  该齐纳二极管采用SOD-523小型表面贴装封装,节省空间并便于自动化装配,特别适合高密度电路板设计。其额定功率为200mW,最大齐纳电流可达100mA,能够在轻负载条件下稳定工作,适用于电池供电设备、便携式仪器和传感器电路等低功耗应用。
  此外,LBZT52B2V0T1G 的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适应各种恶劣工作环境。其存储温度范围也较宽,便于在不同气候条件下存储和运输。该器件符合RoHS标准,适用于绿色环保的电子制造流程。

应用

LBZT52B2V0T1G 主要用于需要低电压稳压的电子电路中。常见应用包括电源管理模块中的参考电压源、电池供电设备中的电压调节、模拟电路中的偏置电压设置以及保护电路中的过压钳位。由于其小型封装和低功耗特性,该器件也广泛应用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网(IoT)设备。
  在工业控制系统中,LBZT52B2V0T1G 可用于传感器信号调理电路中的电压基准,确保测量精度。在通信设备中,该齐纳二极管可用于射频(RF)电路中的偏置调节和稳压,以提高系统稳定性。此外,在消费类电子产品中,如音频设备、LED驱动器和小型充电器中,该器件也常用于提供稳定的参考电压或作为保护元件使用。

替代型号

BZT52B2V0S-TP BZT52B2V0-7 BZT52C2V0 BZT52B2V0T5G

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