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FDMS86520L 发布时间 时间:2025/5/30 23:08:15 查看 阅读:9

FDMS86520L 是一款来自 Fairchild(现为 ON Semiconductor)的 N 晶体管 MOSFET,采用 LFPAK56 封装。该器件主要应用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域,因其低导通电阻和快速开关特性而备受青睐。
  此 MOSFET 具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和较高的电流处理能力,非常适合于高效能功率转换电路。此外,其封装形式具备良好的散热性能,适合高密度设计环境。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:41A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:29nC
  总电容:1750pF
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

FDMS86520L 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关性能,支持高频应用。
  3. 高电流承载能力,满足大功率需求。
  4. 紧凑型 LFPAK56 封装设计,节省 PCB 空间并提供优异的热管理能力。
  5. 工作温度范围宽广,适用于各种严苛环境条件下的运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

FDMS86520L 广泛用于以下应用领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动和逆变器电路。
  3. 计算机与服务器的 VRM(电压调节模块)。
  4. 汽车电子设备中的负载切换及保护。
  5. LED 驱动器和其他需要高效功率管理的场合。

替代型号

FDMF86520L, FDMS86520

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FDMS86520L参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.2 毫欧 @ 13.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4615pF @ 30V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-PQFN(5X6),Power56
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDMS86520L-ND