LBZT52B10T1G 时间：2025/8/13 23:03:35 阅读：21

LBZT52B10T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的表面贴装（SMT）齐纳二极管（Zener Diode），属于 Zener 电压参考二极管系列。该器件设计用于提供稳定的参考电压，适用于各种模拟和数字电路中的电压调节、保护和参考源应用。LBZT52B10T1G 的标称齐纳电压为 10V，采用 SOD-123 小型封装，适合高密度 PCB 设计。该器件具有良好的温度稳定性和低动态阻抗，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电压输出。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-123
　　标称齐纳电压（Vz）：10V @ Iz = 20μA
　　最大齐纳电流（Izmax）：200mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　动态阻抗（Zzt）：750Ω max @ Iz = 1mA
　　漏电流（Ir）：100nA max @ Vr = 1V

特性

LBZT52B10T1G 齐纳二极管具有多项优异的电气和物理特性，使其适用于广泛的电子应用。
　　首先，其采用了 SOD-123 表面贴装封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，并支持自动化贴片工艺，提高了生产效率和装配精度。
　　其次，该器件的齐纳电压为 10V，适用于多种需要中等电压参考的电路，如电源管理、ADC/DAC 参考电压源、电压检测电路等。其齐纳电压在 20μA 的测试电流下测定，确保在低电流条件下也能提供稳定的参考电压。
　　此外，LBZT52B10T1G 具有良好的温度稳定性，其电压温度系数较低，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内保持电压输出的稳定性，适用于工业级和汽车级应用。
　　该器件的最大功耗为 300mW，支持最大 200mA 的齐纳电流，具有较高的功率承受能力，能够在较宽的电流范围内保持稳定的电压输出。动态阻抗低至 750Ω（最大值），有助于减少电压波动，提高电路的稳定性。
　　最后，LBZT52B10T1G 的漏电流非常低（最大 100nA），在反向截止状态下几乎不产生电流泄漏，适用于低功耗和高精度的电路设计。

应用

LBZT52B10T1G 主要应用于需要稳定参考电压的电路中，包括但不限于以下场景：
　　1. 电源管理电路中的电压参考源；
　　2. ADC 和 DAC 的参考电压输入；
　　3. 电压检测与比较器电路；
　　4. 电池供电设备中的低功耗参考源；
　　5. 工业控制系统中的模拟信号调理；
　　6. 汽车电子中的传感器信号处理；
　　7. 各类电子设备中的过压保护和稳压电路。