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LBZ52C5V6T1G 发布时间 时间:2025/8/13 2:32:43 查看 阅读:9

LBZ52C5V6T1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装(SMD)齐纳二极管(Zener Diode),其齐纳电压为5.6V。该器件广泛应用于电压调节、参考电压生成以及电路保护等场合。LBZ52C5V6T1G 采用SOD-123封装,适合高密度PCB布局和自动化装配工艺。该齐纳二极管具有低动态阻抗、快速响应时间和良好的温度稳定性,适用于便携式电子设备、工业控制系统和消费类电子产品。

参数

类型:齐纳二极管
  封装形式:SOD-123
  齐纳电压:5.6V
  功率耗散:300mW
  最大齐纳电流:100mA
  动态阻抗(Zzt):10Ω(最大)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

LBZ52C5V6T1G 齐纳二极管具有多项优异的电气和物理特性。首先,它的齐纳电压为5.6V,精度高,适合用作电压参考源。其次,该器件采用SOD-123小尺寸封装,节省PCB空间,适合高密度设计。其最大功率耗散为300mW,能够在较宽的电流范围内保持稳定的电压调节性能。此外,LBZ52C5V6T1G 的动态阻抗较低,典型值为10Ω,有助于减少电压波动并提高电路稳定性。
  在温度特性方面,LBZ52C5V6T1G 具有良好的温度稳定性,其温度系数为+0.07%/°C,确保在不同环境温度下仍能保持精确的电压控制。该器件的响应时间快,适用于需要快速电压钳位的保护电路。此外,其工作温度范围为-55°C至+150°C,适合在恶劣工业环境下使用。LBZ52C5V6T1G 还具有优良的可靠性,符合RoHS标准,适用于无铅焊接工艺。

应用

LBZ52C5V6T1G 主要应用于需要稳定参考电压的电子电路中。例如,在电源管理电路中,它可作为基准电压源,为ADC、DAC或电压比较器提供稳定参考。在电池供电设备中,该器件可用于监测电池电压并提供低电压警告。此外,LBZ52C5V6T1G 也可用于过压保护电路,防止敏感电子元件受到电压浪涌的损害。
  在工业控制系统中,LBZ52C5V6T1G 常用于传感器信号调理电路,确保输入信号在安全范围内。它也适用于通信设备中的偏置电压生成和射频电路中的电压稳定。由于其封装小巧且易于焊接,LBZ52C5V6T1G 也广泛用于消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。

替代型号

BZX84C5V6, MMSZ5231B, 1N4736A

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