H27UBG8T2ATR-BC 是一款由海力士(SK Hynix)生产的NAND闪存芯片。该芯片采用先进的制程工艺制造,具有高密度存储容量和快速的数据传输能力,广泛应用于需要大容量存储的消费电子设备中,例如固态硬盘(SSD)、USB闪存盘、嵌入式存储模块等。
这款芯片支持标准的NAND接口协议,并且具备多种数据管理功能以确保可靠性和耐用性。其设计符合业界对高效能和低功耗的需求,适用于各种便携式及高性能计算设备。
容量:128GB
接口类型:Toggle Mode 2.0
工作电压:1.8V
封装形式:BGA
I/O电压:1.8V
页面大小:16KB
区块大小:512MB
通道数:8
H27UBG8T2ATR-BC 的主要特性包括高容量、快速读写速度和较低的功耗。它使用了Toggle DDR 2.0 接口,这种接口能够提供比传统异步接口更高的数据传输速率。此外,这款芯片还采用了3D NAND技术,这不仅提高了存储密度,还改善了芯片的性能与可靠性。
在数据管理方面,该芯片内置ECC(Error Correction Code)引擎来修正数据传输中的错误,保证数据完整性。同时,它也支持坏块管理、磨损平衡等重要功能,延长产品使用寿命。
由于其小尺寸BGA封装设计,使得这款芯片非常适合空间受限的应用环境。另外,它的低功耗特点也非常适合移动设备和其他电池供电系统使用。
H27UBG8T2ATR-BC 被广泛应用于多种消费类电子产品中,包括但不限于:
1. 固态硬盘(SSD)
2. USB闪存盘
3. 嵌入式存储模块如eMMC和UFS
4. 智能手机和平板电脑
5. 数码相机和摄像机
6. 游戏机及其他多媒体设备
这些应用都依赖于这款芯片提供的大容量存储能力和快速的数据访问速度。
H27UCG8T2BTR-NC