时间：2025/4/28 19:48:00
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FQD12N20是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性。
其电压等级为200V，适合高压应用场合，并且能够在高频条件下保持较高的效率。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：12A
导通电阻（Rds(on)）：150mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：38nC
输入电容：1240pF
总耗散功率：160W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
FQD12N20具备以下主要特性：
1. 低导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，能够支持高频应用，降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 紧凑的封装设计，方便布局和散热管理。
5. 宽温度范围操作，适应各种恶劣环境。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
这款MOSFET适用于多种电力电子应用，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的同步整流和主开关。
3. 电机控制与驱动电路。
4. UPS（不间断电源）系统。
5. 电池充电及保护电路。
6. 工业自动化设备中的负载切换和功率管理。
IRF840,
FQP12N20,
STP12NK06Z
