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LBTP560Y3T1G 发布时间 时间:2025/8/13 5:20:25 查看 阅读:20

LBTP560Y3T1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件适用于多种电子电路应用,包括信号放大、开关控制等。LBTP560Y3T1G采用了SOT-23(Small Outline Transistor)封装形式,非常适合空间受限的高密度电路设计。这种晶体管以其可靠性、高效性和低功耗特性而著称,是工业自动化、消费电子和汽车电子领域中常见的组件。

参数

晶体管类型:NPN型
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):50 V
  最大功耗(Ptot):300 mW
  电流增益(hFE):在Ic=2 mA时为110-800(具体取决于等级)
  频率响应(fT):100 MHz
  封装类型:SOT-23

特性

LBTP560Y3T1G晶体管具有多个显著特性,使其在各种应用中表现出色。首先,其NPN型结构提供了良好的电流放大能力,适用于需要高增益的放大电路。其次,该晶体管的集电极-发射极电压(Vce)和集电极-基极电压(Vcb)均为50 V,能够承受较高的电压应力,适用于高压环境下的工作条件。
  该器件的最大集电极电流为100 mA,适用于中等功率的开关和放大应用。同时,其最大功耗为300 mW,在SOT-23封装中提供了良好的热性能,有助于提高器件的稳定性和寿命。此外,LBTP560Y3T1G的电流增益(hFE)在Ic=2 mA时可达到110至800,具体取决于晶体管的等级,这种高增益特性使其在信号放大电路中具有良好的表现。
  LBTP560Y3T1G的工作频率响应(fT)为100 MHz,适用于高频信号处理和射频(RF)相关应用。其SOT-23封装不仅体积小巧,而且具有良好的电气性能和机械稳定性,适合用于表面贴装技术(SMT)的自动化生产流程。此外,该晶体管的低功耗特性使其在电池供电设备和节能型电子系统中表现出色。

应用

LBTP560Y3T1G晶体管广泛应用于多种电子设备和系统中。在消费电子领域,该器件常用于音频放大器、信号调节电路和开关电源管理电路。例如,在便携式音响设备中,LBTP560Y3T1G可以作为前置放大器,用于增强音频信号的强度。
  在工业自动化领域,LBTP560Y3T1G适用于传感器信号放大、继电器驱动和电机控制电路。由于其高可靠性和良好的温度稳定性,该晶体管常用于工业控制系统中的开关控制和信号处理模块。
  在汽车电子系统中,LBTP560Y3T1G可以用于车载音响系统、车灯控制电路和电动窗电机驱动电路。此外,该晶体管还适用于汽车传感器信号处理和车载充电管理电路。
  在通信设备中,LBTP560Y3T1G可以用于射频信号放大、数据传输和信号调制解调电路。其高频响应特性使其成为无线通信模块和射频识别(RFID)系统中的理想选择。

替代型号

BC847系列, 2N3904, PN2222

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