时间：2025/8/13 4:23:51
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LBTN4100Y3T1G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效率、高速开关的电源管理系统中。该器件采用了先进的沟槽技术，能够在低电压控制下实现较高的电流承载能力，适合用于DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中的功率控制部分。LBTN4100Y3T1G采用SMB（Surface Mount Bracket）封装形式，便于表面贴装，同时具备良好的热性能和机械稳定性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：10A
最大漏-源电压：30V
最大栅-源电压：20V
导通电阻（RDS(on)）：0.015Ω @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：7.5nC @ 10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SMB
LBTN4100Y3T1G具有非常低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件的低导通电阻特性还意味着可以减少发热，从而延长使用寿命并提高系统的可靠性。此外，LBTN4100Y3T1G具备较低的栅极电荷，这有助于提高开关速度，减少开关损耗，非常适合高频开关应用。
该MOSFET的SMB封装不仅提供了优良的热管理性能，还能有效减少PCB空间占用，适用于紧凑型设计。器件的栅极驱动电压范围较宽，支持在多种电源条件下稳定工作，提高了设计灵活性。
在可靠性方面，LBTN4100Y3T1G具有良好的短路和过热保护能力，能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。其高耐用性和稳定性使其适用于各种工业和消费类电子产品。
LBTN4100Y3T1G主要用于需要高效功率控制的电子系统中，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及便携式电子设备中的电源管理模块。此外，它也可用于电机控制、LED照明驱动电路以及各类开关电源中，提供高效率的功率开关解决方案。
Si4410BDY, IRF7404, FDS4410A
