类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：110A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：100V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 4.5mΩ（在 VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

LBTN1100Z4TZHG 采用了先进的 Trench 技术，具有极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。该器件在高电流条件下仍能保持稳定运行，适用于需要高可靠性和高效率的电源管理应用。其 TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的热管理能力，还支持表面贴装工艺，提高了生产效率。此外，该 MOSFET 具有宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），能够在极端环境下稳定工作，增强了其在工业和汽车应用中的适用性。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用多种驱动电路配置，提高了设计的灵活性。LBTN1100Z4TZHG 还具备较高的抗雪崩击穿能力，能够承受短时间的过载或瞬态电压冲击，提升了系统的整体稳定性。
　　此外，该 MOSFET 的封装设计优化了热阻，使得在高功率运行时能够有效散热，从而延长器件的使用寿命。其低栅极电荷（Qg）特性有助于提高开关速度，减少开关损耗，非常适合高频开关应用。LBTN1100Z4TZHG 在设计上还考虑了电磁干扰（EMI）控制，通过优化内部结构和材料，降低了高频开关过程中产生的噪声，有助于满足电磁兼容性（EMC）标准。

LBTN1100Z4TZHG 主要用于高功率电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及负载开关电路。其高电流能力和低导通电阻使其在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）、工业自动化设备、服务器电源和高功率 LED 照明系统中广泛应用。该器件也适用于需要高效率和高可靠性的消费类电子产品，如笔记本电脑和游戏主机的电源模块。此外，LBTN1100Z4TZHG 还可应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等可再生能源系统中，以提升能量转换效率并减少热量产生。

SiHH110N10T、IPW90R120P7、FDBL110N10A、NTHD110N10CT