LBSS84T1G 时间：2025/8/13 8:25:07 阅读：23

LBSS84T1G是一款由ON Semiconductor生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、低电压应用而设计。该器件采用先进的Trench沟槽工艺技术，提供较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于负载开关、电源管理和电池供电设备等应用。LBSS84T1G采用SOT-23（小型晶体管封装）封装，适合空间受限的电路设计。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为3.5Ω（在VGS=-10V时）
　　栅极电荷（QG）：5.3nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

LBSS84T1G MOSFET具有多项优异特性，使其在低压和低功耗应用中表现出色。首先，其P沟道结构设计允许在低电压条件下高效工作，特别适用于电池供电系统，以延长设备运行时间。其次，低导通电阻（RDS(on)）可减少导通损耗，提高整体能效。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于快速开关操作，从而降低开关损耗并提高系统效率。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和高可靠性，可在宽温度范围内稳定运行，适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的环境。SOT-23封装不仅体积小巧，便于PCB布局，而且具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定运行。
　　另外，LBSS84T1G具有较高的ESD（静电放电）耐受能力，能够承受一定程度的静电冲击，从而减少器件在制造、运输和使用过程中的损坏风险。这使得该器件在高要求的应用中具备更强的稳定性和耐用性。

应用

LBSS84T1G广泛应用于多个领域，包括便携式电子设备、电源管理模块、电池充电器、DC-DC转换器、负载开关控制以及工业自动化设备等。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和穿戴设备，该器件可作为高效负载开关使用，帮助延长电池寿命。在电源管理系统中，LBSS84T1G可用于优化能量分配和提高整体系统效率。此外，其在低电压和低功耗场景中的优异性能也使其成为汽车电子和工业控制系统的理想选择。