FQT13N06LTF 是一款 N 沣道通(Fairchild Semiconductor,已被 ON Semiconductor 收购)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种高效能开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
这款 MOSFET 的最大耐压为 60V,并且在较低的栅极驱动电压下能够提供出色的性能表现。
最大漏源电压:60V
连续漏电流:13A
导通电阻(典型值,Vgs=10V):2.8mΩ
栅极电荷:19nC
反向恢复时间:5ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220FP
FQT13N06LTF 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够在高电流条件下减少功耗并提高效率。
2. 高速开关能力,得益于其优化的栅极电荷设计,使得它非常适合高频开关应用。
3. 强大的雪崩能量承受能力,提升了器件在异常情况下的可靠性。
4. 使用先进的 Trench 工艺,改善了热特性和电气性能。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 提供良好的热稳定性和电气稳定性,适用于工业和汽车环境中的严苛条件。
FQT13N06LTF 广泛应用于多种领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器,用于电压调节和功率转换。
3. 电机驱动,特别是无刷直流电机(BLDC)控制。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. LED 照明驱动,提供高效稳定的电流输出。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N
FDP15N6L
STP13NK06S
AO3400