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FQT13N06LTF 发布时间 时间:2025/7/9 2:33:49 查看 阅读:6

FQT13N06LTF 是一款 N 沣道通(Fairchild Semiconductor,已被 ON Semiconductor 收购)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种高效能开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
  这款 MOSFET 的最大耐压为 60V,并且在较低的栅极驱动电压下能够提供出色的性能表现。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏电流:13A
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):2.8mΩ
  栅极电荷:19nC
  反向恢复时间:5ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220FP

特性

FQT13N06LTF 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够在高电流条件下减少功耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,得益于其优化的栅极电荷设计,使得它非常适合高频开关应用。
  3. 强大的雪崩能量承受能力,提升了器件在异常情况下的可靠性。
  4. 使用先进的 Trench 工艺,改善了热特性和电气性能。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 提供良好的热稳定性和电气稳定性,适用于工业和汽车环境中的严苛条件。

应用

FQT13N06LTF 广泛应用于多种领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括适配器、充电器等。
  2. DC-DC 转换器,用于电压调节和功率转换。
  3. 电机驱动,特别是无刷直流电机(BLDC)控制。
  4. 各种负载开关和保护电路。
  5. LED 照明驱动,提供高效稳定的电流输出。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRFZ44N
  FDP15N6L
  STP13NK06S
  AO3400

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FQT13N06LTF参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C110 毫欧 @ 1.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.4nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223-4
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FQT13N06LTF-NDFQT13N06LTFTR