时间：2025/7/9 2:33:49
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FQT13N06LTF 是一款 N 沣道通（Fairchild Semiconductor，已被 ON Semiconductor 收购）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
这款 MOSFET 的最大耐压为 60V，并且在较低的栅极驱动电压下能够提供出色的性能表现。
最大漏源电压：60V
连续漏电流：13A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：2.8mΩ
栅极电荷：19nC
反向恢复时间：5ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220FP
FQT13N06LTF 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够在高电流条件下减少功耗并提高效率。
2. 高速开关能力，得益于其优化的栅极电荷设计，使得它非常适合高频开关应用。
3. 强大的雪崩能量承受能力，提升了器件在异常情况下的可靠性。
4. 使用先进的 Trench 工艺，改善了热特性和电气性能。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 提供良好的热稳定性和电气稳定性，适用于工业和汽车环境中的严苛条件。
FQT13N06LTF 广泛应用于多种领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器，用于电压调节和功率转换。
3. 电机驱动，特别是无刷直流电机（BLDC）控制。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. LED 照明驱动，提供高效稳定的电流输出。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N
FDP15N6L
STP13NK06S
AO3400
