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LBSS64LT1G 发布时间 时间:2025/8/13 6:48:13 查看 阅读:23

LBSS64LT1G是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管类别。该晶体管设计用于高频率和高速开关应用,具备良好的性能和可靠性,广泛应用于通信设备、电源管理系统以及各种工业电子设备中。其封装形式为SOT-23,这种小型封装不仅节省空间,还便于自动化装配。

参数

类型:NPN晶体管
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):40V
  最大集电极-基极电压(Vcb):50V
  最大功耗(Ptot):300mW
  最大工作温度范围:-55°C至150°C
  增益(hFE):在Ic=2mA时为110至800(根据等级不同)
  过渡频率(fT):250MHz
  封装类型:SOT-23

特性

LBSS64LT1G具有多项优异的电气特性和物理特性,适用于高性能电子电路设计。
  首先,其高过渡频率(fT)达到250MHz,使得该晶体管非常适合用于高频放大器和高速开关电路。在射频(RF)和中频(IF)应用中,能够提供稳定的性能表现。
  其次,LBSS64LT1G的增益(hFE)范围较宽,从110到800,具体数值取决于晶体管的等级。这种高增益特性使得该晶体管在低噪声放大和信号增强应用中表现出色,同时适用于需要不同放大倍数的设计场景。
  此外,该晶体管的最大集电极电流为100mA,最大集电极-发射极电压为40V,集电极-基极电压为50V,能够在相对较高的电压和电流条件下正常工作,适用于多种电源管理和信号处理应用。
  其SOT-23封装形式不仅体积小巧,而且具有良好的热稳定性和机械强度,适合在空间受限的电路板设计中使用。该封装还具有较好的散热性能,有助于维持晶体管的稳定工作状态,延长使用寿命。
  最后,LBSS64LT1G的工作温度范围为-55°C至150°C,适应性强,能够在极端温度条件下正常运行,适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场景。

应用

LBSS64LT1G晶体管由于其高频特性和高可靠性,广泛应用于多个领域。
  在通信设备中,该晶体管常用于射频放大器、混频器和振荡器等高频电路设计,能够有效提升信号传输的质量和稳定性。此外,它还可用于无线通信模块中的信号处理单元,提高设备的响应速度和数据处理能力。
  在工业自动化领域,LBSS64LT1G可用于传感器信号放大和开关控制电路,确保设备在复杂环境下的稳定运行。其高增益特性使其在低噪声放大应用中表现出色,适用于精密测量和检测设备。
  在消费类电子产品中,该晶体管可用于音频放大电路、电源管理模块以及各种开关控制电路,提升设备的能效和稳定性。例如,在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,LBSS64LT1G可用于电源管理单元,优化电池供电效率。
  在汽车电子系统中,该晶体管可用于车载通信模块、传感器信号处理单元以及各种控制电路,确保车辆电子系统在高温、振动等恶劣环境下的稳定运行。

替代型号

BC847系列, 2N3904, MMBT3904, PN2222A

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