时间：2025/8/13 2:53:53
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LBSS5350SZ4TZHG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的射频功率晶体管。该器件专门设计用于高频率和高功率应用，例如射频放大器、无线通信设备和工业控制系统中的功率放大器模块。LBSS5350SZ4TZHG 具有高功率增益、优异的线性性能以及良好的热稳定性能，能够在高频条件下保持稳定的工作状态，是许多射频和功率电子系统中的关键组件。
类型：NPN 双极型晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：60 V
最大集电极电流（IC）：2.5 A
最大功率耗散（PD）：30 W
频率（fT）：100 MHz
增益（hFE）：典型值 100 @ IC = 150 mA
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-223
晶体管配置：单管
LBSS5350SZ4TZHG 的核心特性之一是其在高频条件下的卓越性能，使其适用于射频功率放大应用。该器件具有高达 100 MHz 的过渡频率（fT），能够处理较高频率的信号而不失真，同时提供稳定的增益。其 NPN 结构和 SOT-223 封装设计有助于优化散热性能，从而在高功率工作条件下保持较低的结温，延长器件寿命。
此外，该晶体管的 hFE（电流增益）在标准工作条件下可达到 100 左右，为电路设计提供了良好的线性度和放大能力。其最大集电极电流为 2.5 A，最大集电极-发射极电压为 60 V，使其能够承受较大的功率负荷，适用于中高功率的电子系统。LBSS5350SZ4TZHG 的最大功率耗散为 30 W，进一步提升了其在高功率应用中的可靠性。
LBSS5350SZ4TZHG 广泛应用于射频功率放大器、无线通信设备、音频放大器、工业控制系统、汽车电子系统、电源管理模块以及测试和测量设备中。由于其高频率响应和良好的功率处理能力，该晶体管特别适合用于无线基站、无线电发射机和高保真音频放大器等需要高线性度和稳定增益的场景。此外，由于其优异的热稳定性和紧凑的封装形式，LBSS5350SZ4TZHG 也常用于嵌入式系统的电源调节和信号放大模块中。
TIP41C, 2N5190, 2N5191, BD139, 2N3055
