HCNW4502#500 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源转换、电机驱动和负载开关等领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特性,能够有效提升系统的效率和可靠性。
HCNW4502#500采用N沟道增强型设计,支持高频应用场合,并具备出色的电流处理能力,适合对功率密度要求较高的电子设备。
最大漏源电压:45V
连续漏极电流:26A
导通电阻:1.7mΩ
栅极电荷:38nC
开关速度:50ns
封装形式:TO-220
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低功耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场景。
3. 内置ESD保护电路,增强器件的抗静电能力。
4. 支持大电流操作,满足多种功率应用需求。
5. 良好的热稳定性和耐用性,确保长时间可靠运行。
6. 封装形式多样化,便于不同设计需求的选择。
1. 开关电源(SMPS)
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动与控制
4. 负载开关
5. 工业自动化设备
6. 消费类电子产品中的功率管理模块
7. 电池管理系统(BMS)
IRFZ44N
STP75NF06L
FDP5810