LBSS5250Y3T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该器件专为高频和高增益应用设计,适用于射频(RF)和模拟信号处理领域。LBSS5250Y3T1G 采用 SOT-23 封装,具有较小的尺寸和良好的热性能,适合在紧凑型电子设备中使用。这款晶体管的性能稳定,广泛用于通信设备、无线模块、音频放大器以及其他需要高增益和低噪声的电子系统中。
晶体管类型:NPN
封装类型:SOT-23
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极-基极电压(Vcb):30V
最大功耗(Pd):300mW
最大工作温度:150°C
增益(hFE):在2mA时为110-800(具体取决于等级)
过渡频率(fT):250MHz
噪声系数:5dB(典型值)
安装类型:表面贴装
LBSS5250Y3T1G 晶体管具有多项优良特性,使其在多种电子电路中表现出色。首先,该晶体管的高频响应能力高达 250MHz,使其非常适合射频放大器和高速开关电路。其次,其增益范围广泛(110-800),可根据不同应用需求选择合适的等级,提供出色的信号放大能力。此外,LBSS5250Y3T1G 的噪声系数较低(典型值为5dB),使其在低噪声放大器中表现优异,尤其适用于音频和通信系统中的信号处理。
该晶体管的 SOT-23 封装设计不仅节省空间,还具有良好的热管理和机械稳定性,适合在高密度 PCB 设计中使用。同时,其最大集电极电流为 100mA,集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为 30V,能够承受一定的电压应力,适用于多种中低功率应用。LBSS5250Y3T1G 的最大功耗为 300mW,能够在较宽的工作温度范围内(最高达150°C)稳定运行,适用于各种恶劣环境条件。
此外,LBSS5250Y3T1G 的制造工艺确保了其良好的一致性和可靠性,适用于自动化生产和长期运行的电子设备。这些特性使 LBSS5250Y3T1G 成为射频放大器、音频前置放大器、高速开关电路、无线通信模块以及其他需要高增益和低噪声的模拟电路的理想选择。
LBSS5250Y3T1G 广泛应用于多个电子领域,尤其是在需要高频响应和低噪声性能的电路中。例如,在射频放大器中,它用于放大高频信号,提高信号的传输质量。在无线通信模块中,LBSS5250Y3T1G 可用于 RF 前端放大器或本地振荡器电路,提升系统的接收灵敏度和发射功率效率。此外,它还常用于音频放大器的前置级,提供高质量的信号放大,确保音频信号的清晰度和稳定性。
在高速开关电路中,LBSS5250Y3T1G 可用于数字逻辑电路、缓冲器和驱动器,提供快速的开关响应和低延迟。在工业控制系统中,它可用于模拟信号处理、传感器信号放大以及数据采集电路。在消费类电子产品中,如无线耳机、蓝牙模块、智能穿戴设备等,LBSS5250Y3T1G 凭借其小尺寸和高性能,成为理想的放大和开关元件。
此外,LBSS5250Y3T1G 还可用于电源管理电路、LED 驱动器、DC-DC 转换器等应用,提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
BC847, 2N3904, PN2222, MMBT3904