型号：JS24MN-KT
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4.1A（@TC=70℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（@VGS=4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（@VGS=2.5V）
　　阈值电压（Vth）：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容（Ciss）：450pF（@VDS=10V）
　　输出电容（Coss）：150pF（@VDS=10V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@VDS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：8nC（@VGS=4.5V）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：15ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-23

JS24MN-KT采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，典型值仅为18mΩ（在VGS=4.5V条件下），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。对于电池供电设备而言，这种低RDS(on)特性尤为重要，因为它可以直接延长续航时间。此外，即使在较低的栅极驱动电压下（如2.5V），其导通电阻仍保持在22mΩ的较低水平，表明该器件具有良好的低压驱动能力，兼容3.3V或更低逻辑电平的控制信号，适用于现代低电压数字控制系统。
　　该器件的阈值电压范围为0.6V至1.0V，属于低阈值类型，能够在较早阶段开启沟道，有利于实现快速响应和高效开关操作。结合其较小的栅极电荷（Qg=8nC），使得开关过程中的驱动损耗也得到有效控制，从而提升了高频开关应用中的性能表现。输入电容、输出电容和反向传输电容均处于合理范围内，有助于减少寄生振荡风险，并提高EMI抗扰度。
　　JS24MN-KT具备较高的电流承载能力，在TC=70℃时可承受4.1A的连续漏极电流，短时脉冲电流可达16A，适用于瞬态负载较大的应用场景，如电机启动或LED闪光驱动。其体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=15ns），可有效减少反向恢复带来的能量损耗和电压尖峰，提升系统可靠性，尤其是在同步整流或感性负载切换场合。
　　器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，确保其在严苛环境条件下仍能稳定运行。SOT-23封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备良好的散热性能，配合适当的PCB布局设计可进一步提升热管理效果。总体来看，JS24MN-KT是一款集高性能、高可靠性与小型化于一体的N沟道MOSFET，特别适合对空间和能效有严格要求的应用领域。

JS24MN-KT广泛应用于各类需要高效开关控制的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关和负载管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池隔离与充放电控制。在DC-DC转换器拓扑结构中，它常被用作同步整流器或高端/低端开关元件，尤其适用于降压（Buck）转换器，以提高转换效率并减少发热。
　　在LED驱动电路中，JS24MN-KT可用于控制LED阵列的通断或实现调光功能，凭借其低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提升响应速度。此外，在电机驱动应用中，如微型风扇、振动马达或小型步进电机的H桥或半桥驱动电路中，该器件能够提供足够的电流驱动能力和可靠的开关性能。
　　该MOSFET还可用于各类模拟开关、热插拔控制器、USB电源开关以及过流保护电路中，作为主控开关元件。其低阈值电压和良好的线性区控制能力也使其适用于某些线性调节或恒流源设计。在工业控制领域，JS24MN-KT可用于PLC模块、传感器供电管理及继电器替代方案中，实现固态开关功能，提升系统寿命和稳定性。
　　由于其SOT-23封装的小尺寸优势，该器件非常适合高密度PCB布局和空间受限的设计场景。同时，其符合RoHS标准，适用于出口型电子产品和绿色能源项目。综合来看，JS24MN-KT是一款通用性强、适应面广的功率MOSFET，适用于消费类、工业类及通信类等多种电子产品的电源与开关管理需求。

Si2302DDS-T1-E3
　　AON6260
　　FDMT6001