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LBSS4250Y3T1G 发布时间 时间:2025/5/23 9:03:15 查看 阅读:13

LBSS4250Y3T1G 是一款由三星制造的固态硬盘(SSD)存储芯片,属于 Z-SSD 系列。该系列专为高性能和低延迟设计,主要应用于数据中心、企业级服务器和云计算环境。LBSS4250Y3T1G 采用 PCIe NVMe 接口协议,支持高速数据传输,并结合了先进的 NAND 技术以优化读写性能。
  这款 SSD 芯片具有强大的随机读写能力以及高耐用性,适合需要频繁处理大量数据的工作负载,例如数据库管理、虚拟化环境和大数据分析等。

参数

容量:3.84TB
  接口类型:PCIe Gen4 x4
  协议:NVMe 1.4
  顺序读取速度:6900 MB/s
  顺序写入速度:3500 MB/s
  随机读取IOPS:1500K
  随机写入IOPS:380K
  功耗(活动状态):11W
  工作温度:0°C 至 70°C
  MTBF:250万小时

特性

LBSS4250Y3T1G 的关键特性包括:
  1. 高性能:基于 PCIe Gen4 和 NVMe 协议,提供极高的带宽和吞吐量。
  2. 可靠性:采用三星最新的 V-NAND 技术,显著提升了数据存储的可靠性和耐久性。
  3. 节能设计:即使在高负载情况下,也能保持较低的功耗水平,从而降低整体运营成本。
  4. 数据保护:内置端到端数据路径保护和断电保护功能,确保数据完整性和一致性。
  5. 安全性:支持 AES 256位硬件加密技术,保障敏感数据的安全存储。
  6. 兼容性强:与主流服务器平台兼容,简化了部署和维护流程。

应用

LBSS4250Y3T1G 广泛用于以下场景:
  1. 数据中心:适用于大规模数据存储和快速检索任务。
  2. 云计算环境:满足云服务提供商对高效存储解决方案的需求。
  3. 企业级服务器:支持虚拟化应用、数据库管理和高性能计算任务。
  4. 大数据分析:处理海量非结构化数据,加速决策过程。
  5. AI/机器学习:为复杂的模型训练和推理提供稳定的存储支持。

替代型号

PM9A3-EV、PM9B3-EV

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