FP105-TL-E 时间：2025/5/12 12:34:22 阅读：9

FP105-TL-E 是一款高性能的场效应晶体管（FET），专为高频开关和功率放大应用设计。该器件采用先进的制造工艺，能够提供卓越的电气性能和可靠性，适用于各种工业、通信及消费类电子设备中。

参数

型号：FP105-TL-E
　　类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(V_DS)：100V
　　最大栅源电压(V_GS)：±20V
　　最大漏极电流(I_D)：5A
　　导通电阻(R_DS(on))：0.1Ω
　　总功耗(P_TOT)：40W
　　工作温度范围(T_A)：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-220

特性

FP105-TL-E 的主要特性包括高击穿电压能力，确保在高压环境下稳定运行；低导通电阻减少了传导损耗，从而提高了效率；具备快速开关速度，非常适合高频操作场景。
　　此外，该器件还拥有良好的热稳定性，在高温条件下仍能保持优异的性能表现。同时，其坚固的设计结构进一步增强了产品的可靠性和耐用性。

应用

FP105-TL-E 广泛应用于多个领域，例如开关电源(SMPS)中的功率转换电路、DC-DC变换器、电机驱动控制模块以及音频功率放大器等场合。
　　它还可以用作负载开关或保护电路中的关键组件，实现对过流、短路等情况的有效防护。由于其出色的电气性能，这款芯片特别适合需要高效能和高可靠性的复杂系统中使用。