类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-4.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：65mΩ @ Vgs = -4.5V；95mΩ @ Vgs = -2.5V
　　功率耗散：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：SOT-223

LBSS4240P3T1G 具有多个显著的技术和性能特点，使其在各类电子电路中表现出色。
　　首先，该 MOSFET 采用了先进的 TrenchFET 技术，这种结构设计有效降低了导通电阻 Rds(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了能效。TrenchFET 技术还增强了器件的热稳定性，使其在高负载工作条件下依然保持良好的性能。
　　其次，LBSS4240P3T1G 具有较低的栅极电荷（Qg），这有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。此外，其低导通电阻（65mΩ @ -4.5V Vgs）也使得该器件在大电流应用中表现出色，减少了发热问题。
　　再者，该器件采用了 SOT-223 表面贴装封装，具备良好的散热性能，同时节省了 PCB 空间，非常适合用于便携式设备和高密度电路板设计。SOT-223 封装还支持自动贴片工艺，提高了生产效率。
　　此外，LBSS4240P3T1G 的栅极驱动电压范围较宽（可支持 -2.5V 至 -4.5V），使其能够兼容多种控制电路，例如由低压微控制器驱动的应用。这一特性也增强了其在电池供电系统中的适用性，能够在电池电压下降时依然保持良好的导通性能。
　　最后，该器件具有良好的温度稳定性和过热保护能力，能够在恶劣环境下稳定运行，延长使用寿命。

LBSS4240P3T1G 因其优异的电气特性和紧凑的封装形式，广泛应用于多种电子系统和模块中。
　　在电源管理系统中，该器件常用于负载开关、DC-DC 转换器和同步整流器，其低导通电阻和快速开关特性可显著提升转换效率，降低发热损耗。
　　在电池供电设备中，例如笔记本电脑、平板电脑、智能穿戴设备和便携式医疗设备，LBSS4240P3T1G 被用作主开关或负载管理器件，以实现高效的电源控制和节能操作。
　　此外，该 MOSFET 也适用于电机驱动、LED 照明调光、热插拔电源控制等应用场景。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于工业控制、通信设备和汽车电子系统中的辅助电源管理模块。
　　由于其 SOT-223 封装的小型化优势，LBSS4240P3T1G 特别适合空间受限的设计，例如多层 PCB 布局和高密度组件排列的场合。

Si4435DY, IRML2403PBF, FDC640P, NTR4182P