类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：100mA（@Vds = 10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5Ω @ Vgs = 4.5V
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

LBSS138WT1G具备低导通电阻的特性，有助于降低开关过程中的功率损耗，提高整体效率。其快速的开关特性使其适用于高频开关电路，能够有效减少开关延迟和上升/下降时间。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，适用于紧凑型设计和高密度电路布局。SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于自动化贴片生产。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持从2.5V到12V的逻辑电平驱动，兼容多种控制电路，如微控制器或数字信号处理器（DSP）等。
　　由于其优异的开关性能和小型封装，LBSS138WT1G广泛用于便携式电子产品、电池供电设备、DC-DC转换器以及逻辑电平转换电路中。

LBSS138WT1G常用于便携式电子设备中的电源开关和负载控制，如智能手机、平板电脑、无线耳机等。在电池管理系统中，它可用作高侧或低侧开关，控制电池与负载之间的通断。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为同步整流器使用，提高转换效率并降低发热。此外，它也适用于信号切换电路，如音频切换、USB信号路径控制等应用场景。
　　由于其良好的高频响应，LBSS138WT1G也可用于低功耗无线通信模块中的射频开关或天线切换控制电路。

Si2302DS、2N7002、BSS138