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S1C17602F101100 发布时间 时间:2025/11/7 17:07:53 查看 阅读:14

S1C17602F101100是Silicon Storage Technology, Inc.(SST)推出的一款基于高可靠性SuperFlash?技术的微控制器单元(MCU),广泛应用于对功耗、性能和存储耐久性要求较高的嵌入式系统中。该器件集成ARM Cortex-M0+处理器核心,具备高效的指令执行能力与低功耗特性,适合用于工业控制、消费类电子、智能传感器、可穿戴设备及物联网(IoT)终端等场景。S1C17602F101100采用小型化封装设计,片上集成了闪存、SRAM以及多种外设接口,如UART、I2C、SPI、ADC和定时器等,支持灵活的电源管理机制,能够在多种工作模式下实现动态功耗调节。其内置的SuperFlash?技术提供了卓越的编程/擦除耐久性(典型值可达100万次以上)和数据保持能力(超过20年),显著提升了系统在恶劣环境或长期运行中的稳定性与可靠性。此外,该芯片支持在线编程(ISP)和调试功能,便于开发阶段的固件更新与故障排查,同时也适用于量产环境下的高效烧录流程。整体而言,S1C17602F101100是一款兼顾高性能、低功耗与高可靠性的嵌入式解决方案,特别适合需要频繁写入操作和长时间稳定运行的应用领域。

参数

核心架构:ARM Cortex-M0+
  主频:最高32MHz
  程序存储器类型:SuperFlash?
  程序存储器容量:64KB
  RAM容量:8KB
  工作电压范围:1.62V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:QFN32
  GPIO数量:25
  ADC分辨率:12位
  ADC通道数:8
  定时器:3个16位定时器
  通信接口:UART×2,I2C×1,SPI×1
  看门狗定时器:支持
  调试接口:SWD

特性

S1C17602F101100的核心特性之一是其采用的SuperFlash?技术,这项专利技术由SST公司开发,相较于传统嵌入式闪存,在写入速度、耐久性和功耗方面具有显著优势。SuperFlash?存储单元结构优化了编程和擦除操作的电流需求,使得单次写入能耗大幅降低,同时支持字节级和扇区级的灵活擦写,极大提升了数据更新效率。该技术还具备出色的抗干扰能力和高温下的数据保持性能,确保在复杂电磁环境或极端温度条件下仍能稳定运行。此外,SuperFlash?的制造工艺兼容标准CMOS流程,无需额外的高成本工艺步骤,从而在保证高性能的同时控制了芯片成本。
  另一个关键特性是其低功耗管理系统。S1C17602F101100支持多种电源模式,包括主动运行模式、睡眠模式、深度睡眠模式和关机模式。在深度睡眠模式下,芯片仅保留实时时钟(RTC)和部分寄存器状态,电流消耗可降至1μA以下,非常适合电池供电设备延长续航时间的需求。通过唤醒中断源(如外部引脚触发、RTC定时或通信接口接收事件)可快速恢复至正常运行状态,响应时间短,提升了系统的实时响应能力。
  该芯片还集成了丰富的模拟与数字外设资源,增强了其在多样化应用场景中的适应性。例如,12位精度的ADC模块可用于采集传感器信号,支持内部参考电压和自动扫描多通道输入,减轻CPU负担;多个串行通信接口支持全双工通信,并具备DMA辅助传输能力,提升数据吞吐效率。其I/O端口具备可配置驱动强度和上拉/下拉电阻,兼容多种电平标准,增强了与其他外围器件的互操作性。安全方面,芯片提供写保护机制和唯一设备标识符(UID),有助于实现固件防篡改和设备身份认证功能。

应用

S1C17602F101100广泛应用于对能效比和系统可靠性要求较高的嵌入式控制系统中。常见使用场景包括智能家居设备,如温控器、照明控制器和门窗传感器,这些设备通常依赖电池长期供电,需要极低的待机功耗和稳定的程序存储能力。此外,在工业自动化领域,该芯片可用于数据采集模块、远程监控终端和智能仪表,利用其坚固的Flash存储特性和宽温工作范围,在高温、潮湿或多尘环境中保持长期稳定运行。在医疗健康类电子产品中,如便携式心率监测仪、血糖仪和可穿戴健康追踪器,S1C17602F101100能够满足小体积、低功耗和高精度信号采集的需求。同时,它也适用于资产追踪标签、RFID读写器和无线传感器网络节点等物联网边缘设备,配合无线收发模块实现低功耗广域网(LPWAN)连接。得益于其强大的外设集成度和灵活的电源管理策略,该芯片还能用于消费类电子产品,如电子锁、玩具、遥控器和个人护理设备,为产品提供更高的功能密度和更长的使用寿命。

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S1C17602F101100参数

  • 制造商Epson
  • 核心S1C17
  • 数据总线宽度16 bit
  • 封装Tray