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LBSS123LT1G SA 发布时间 时间:2025/8/13 8:00:12 查看 阅读:15

LBSS123LT1G SA 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件主要用于低功率开关和放大应用,适用于便携式电子产品、电源管理系统、消费类电子设备以及工业控制电路。LBSS123LT1G SA采用SOT-23封装,具有小型化、高可靠性和良好的热稳定性,适合表面贴装工艺。

参数

类型:NPN双极型晶体管
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
  最大功耗(Pd):300 mW
  电流增益(hFE):110-800(根据档位不同)
  过渡频率(fT):100 MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23

特性

LBSS123LT1G SA具备多项优良特性,适用于广泛的电子电路设计。
  首先,该晶体管的最大集电极电流为100 mA,能够在低功耗条件下实现有效的开关和放大功能,适用于电池供电设备等对功耗敏感的应用场景。
  其次,其集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30 V,具备较强的电压承受能力,可在多种电压环境下稳定工作。
  此外,该器件的最大功耗为300 mW,结合SOT-23封装的优异散热性能,能够在较高温度下保持稳定运行,提升了系统的可靠性。
  电流增益(hFE)范围为110至800,分为多个档位,用户可根据具体应用需求选择合适的增益等级,从而优化电路性能。
  该晶体管的过渡频率(fT)为100 MHz,支持高频应用,适用于射频和高速开关电路。
  最后,其工作温度范围为-55°C至+150°C,适应性广,适合在各种恶劣环境条件下使用。

应用

LBSS123LT1G SA广泛应用于多个电子领域。
  在消费类电子产品中,该晶体管常用于音频放大器、信号开关和逻辑电路中,以实现信号的高效放大和切换。
  在电源管理系统中,它可用于稳压电路、电池充放电控制电路以及DC-DC转换器中的开关元件,提升能效并减少功耗。
  在工业自动化控制领域,LBSS123LT1G SA可用于PLC(可编程逻辑控制器)中的输入输出接口电路,实现对传感器和执行器的控制。
  此外,该晶体管还可用于射频前端电路、无线通信模块中的开关和放大电路,支持高频信号处理。
  由于其高可靠性和紧凑的SOT-23封装,LBSS123LT1G SA也常用于汽车电子系统中,如车载娱乐系统、车身控制模块和传感器接口电路。

替代型号

BC847系列, 2N3904, PN2222A

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