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STL100NH3LL 发布时间 时间:2025/7/22 16:14:05 查看 阅读:8

STL100NH3LL 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET F3技术制造,具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能,适用于各种高效率功率转换应用。STL100NH3LL 采用PowerFLAT 5x6封装,具备良好的散热能力,适用于空间受限的高密度设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):100A(最大值)
  漏-源极电压(VDS):100V
  导通电阻(RDS(on)):最大值为6.5mΩ(典型值可能为5.5mΩ)
  栅极电荷(Qg):约75nC(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:PowerFLAT 5x6

特性

STL100NH3LL 基于STripFET F3技术,这种先进的功率MOSFET制造工艺显著降低了导通电阻,并优化了开关性能。该器件的导通电阻非常低,通常在5.5mΩ左右,这使得在高电流应用中能够有效减少功率损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有较高的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行。
  该器件的栅极电荷较低,有助于减少开关损耗,提高系统效率。STL100NH3LL 还具备良好的短路耐受能力,使其适用于需要高可靠性的应用场景。PowerFLAT 5x6封装不仅体积小巧,还提供了优异的热管理性能,适合高功率密度设计。
  此外,STL100NH3LL 具有良好的抗雪崩能力,能够在高压瞬态条件下保持稳定运行。该器件的封装设计优化了PCB布局,减少了寄生电感,从而提高了高频开关性能。

应用

STL100NH3LL 广泛应用于各种高功率电子系统中,如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、电源管理和负载开关等。由于其低导通电阻和高耐压能力,该MOSFET非常适合用于高效率电源转换器,如笔记本电脑、服务器电源、通信设备和工业控制系统中的电源模块。
  在电机控制和电源管理应用中,STL100NH3LL 能够提供高效的开关性能,减少能量损耗,提高系统整体效率。此外,该器件也适用于汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)、车载充电器(OBC)和电池管理系统(BMS)等应用。

替代型号

STL100N4LF7AG, STP100N10F7, IRF1010Z

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STL100NH3LL参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 毫欧 @ 12.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4450pF @ 25V
  • 功率 - 最大4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装PowerFlat?(6x5)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-5813-6