STL100NH3LL 时间：2025/7/22 16:14:05 阅读：8

STL100NH3LL 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET F3技术制造，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，适用于各种高效率功率转换应用。STL100NH3LL 采用PowerFLAT 5x6封装，具备良好的散热能力，适用于空间受限的高密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：100A（最大值）
　　漏-源极电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为6.5mΩ（典型值可能为5.5mΩ）
　　栅极电荷（Qg）：约75nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

特性

STL100NH3LL 基于STripFET F3技术，这种先进的功率MOSFET制造工艺显著降低了导通电阻，并优化了开关性能。该器件的导通电阻非常低，通常在5.5mΩ左右，这使得在高电流应用中能够有效减少功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
　　该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高系统效率。STL100NH3LL 还具备良好的短路耐受能力，使其适用于需要高可靠性的应用场景。PowerFLAT 5x6封装不仅体积小巧，还提供了优异的热管理性能，适合高功率密度设计。
　　此外，STL100NH3LL 具有良好的抗雪崩能力，能够在高压瞬态条件下保持稳定运行。该器件的封装设计优化了PCB布局，减少了寄生电感，从而提高了高频开关性能。

应用

STL100NH3LL 广泛应用于各种高功率电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理和负载开关等。由于其低导通电阻和高耐压能力，该MOSFET非常适合用于高效率电源转换器，如笔记本电脑、服务器电源、通信设备和工业控制系统中的电源模块。
　　在电机控制和电源管理应用中，STL100NH3LL 能够提供高效的开关性能，减少能量损耗，提高系统整体效率。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）等应用。