类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：170mA
　　导通电阻(Rds(on))：约3.5Ω @ Vgs=10V
　　栅极电荷(Qg)：8nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

BSS123LT1G MOSFET具备多项优良特性，使其在中低功率应用中表现出色。
　　首先，其最大漏源电压(Vds)为100V，能够在较高电压环境下稳定工作，适用于多种电源转换和控制电路。栅源电压(Vgs)为±20V，提供了较高的栅极电压容忍度，增强了器件在不同工作条件下的可靠性。
　　其次，该器件的连续漏极电流(Id)为170mA，虽然电流容量相对有限，但足以满足许多小型电源开关和信号控制应用的需求。其导通电阻(Rds(on))约为3.5Ω，在Vgs=10V时能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，BSS123LT1G的栅极电荷(Qg)为8nC，属于低栅极电荷类型，有助于实现快速开关操作，减少开关损耗，提高整体系统效率。这使得该器件在高频开关应用中表现良好。
　　该MOSFET采用SOT-23封装，体积小巧，便于集成在高密度PCB布局中，并且支持表面贴装工艺，有利于提高生产效率和降低成本。
　　最后，BSS123LT1G的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性强，能够在极端温度条件下稳定运行，适用于工业控制、消费电子、汽车电子等多个领域。

BSS123LT1G MOSFET因其良好的电气性能和紧凑的封装形式，被广泛应用于多个领域。
　　在电源管理方面，该器件可用于小型DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关电路中，实现高效能的能量转换和分配。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电源转换效率，降低系统功耗。
　　在消费电子产品中，BSS123LT1G可用于LED驱动、USB电源控制、智能卡接口和小型电机控制等应用场景。其SOT-23封装便于集成，适合用于手机、平板电脑、可穿戴设备等对体积敏感的产品中。
　　在工业自动化和控制领域，该MOSFET可用于PLC输入/输出接口、传感器控制、继电器替代电路等，提供可靠的开关控制和较高的系统稳定性。
　　此外，在汽车电子系统中，BSS123LT1G可用于车载电源管理、LED照明控制、电动窗控制等应用，其宽工作温度范围确保了在汽车恶劣环境下的可靠运行。

2N7002, 2N7002K, BSS138, FDN302P, NDS355AN