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NDS355AN-NB9L007A 发布时间 时间:2025/6/6 10:21:17 查看 阅读:5

NDS355AN-NB9L007A是一款基于N沟道MOSFET技术的功率场效应晶体管,专为高频开关和低导通电阻应用而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有优异的开关特性和低功耗特性,广泛适用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
  其封装形式为SOT23-3L,尺寸小巧且易于安装,适合空间受限的应用场景。同时,该型号具备较低的栅极电荷和输出电容,能够有效降低开关损耗并提升效率。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.4A
  脉冲漏极电流:4.2A
  栅源电压范围:-0.3V 至 +6V
  导通电阻(Rds(on)):0.8Ω(典型值,在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:1.5nC
  总电容:22pF
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C

特性

1. 小型化SOT23-3L封装,节省PCB板空间。
  2. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗。
  3. 高速开关性能,适用于高频电路设计。
  4. 较低的栅极电荷和输出电容,提升了效率和可靠性。
  5. 工作温度范围广,适应多种恶劣环境条件。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的功率开关。
  3. 电池供电设备中的负载开关。
  4. 消费类电子产品的过流保护电路。
  5. 电机驱动和小型继电器控制。
  6. 各类便携式设备中的电源管理单元。

替代型号

NDS355AN, BSS138, SI2302DS

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NDS355AN-NB9L007A参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.7A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)85 毫欧 @ 1.9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)5 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)195 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3