时间：2025/6/6 10:21:17
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NDS355AN-NB9L007A是一款基于N沟道MOSFET技术的功率场效应晶体管，专为高频开关和低导通电阻应用而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有优异的开关特性和低功耗特性，广泛适用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
其封装形式为SOT23-3L，尺寸小巧且易于安装，适合空间受限的应用场景。同时，该型号具备较低的栅极电荷和输出电容，能够有效降低开关损耗并提升效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.4A
脉冲漏极电流：4.2A
栅源电压范围：-0.3V 至 +6V
导通电阻（Rds(on)）：0.8Ω（典型值，在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：1.5nC
总电容：22pF
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
1. 小型化SOT23-3L封装，节省PCB板空间。
2. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗。
3. 高速开关性能，适用于高频电路设计。
4. 较低的栅极电荷和输出电容，提升了效率和可靠性。
5. 工作温度范围广，适应多种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 消费类电子产品的过流保护电路。
5. 电机驱动和小型继电器控制。
6. 各类便携式设备中的电源管理单元。
NDS355AN, BSS138, SI2302DS
