NDS355AN-NB9L007A是一款基于N沟道MOSFET技术的功率场效应晶体管,专为高频开关和低导通电阻应用而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有优异的开关特性和低功耗特性,广泛适用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
其封装形式为SOT23-3L,尺寸小巧且易于安装,适合空间受限的应用场景。同时,该型号具备较低的栅极电荷和输出电容,能够有效降低开关损耗并提升效率。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:1.4A
脉冲漏极电流:4.2A
栅源电压范围:-0.3V 至 +6V
导通电阻(Rds(on)):0.8Ω(典型值,在Vgs=4.5V时)
栅极电荷:1.5nC
总电容:22pF
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
1. 小型化SOT23-3L封装,节省PCB板空间。
2. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗。
3. 高速开关性能,适用于高频电路设计。
4. 较低的栅极电荷和输出电容,提升了效率和可靠性。
5. 工作温度范围广,适应多种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 消费类电子产品的过流保护电路。
5. 电机驱动和小型继电器控制。
6. 各类便携式设备中的电源管理单元。
NDS355AN, BSS138, SI2302DS