LBC858CWT1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET,适用于多种高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术,提供了低导通电阻(Rds(on))和高电流能力,适用于电源管理、DC-DC转换器和负载开关等应用。LBC858CWT1G采用了小型化的表面贴装封装(如SOT-223),便于在紧凑空间内使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(Id):8A
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):20mΩ @ Vgs=10V
功率耗散:1.6W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:SOT-223
LBC858CWT1G具有多项优异的电气特性,首先其低导通电阻(Rds(on))为20mΩ,在Vgs=10V时可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该MOSFET具有高电流能力,最大漏极电流可达8A,适用于中高功率应用。此外,其漏源电压(Vds)为30V,满足多种低压电源转换器的需求。LBC858CWT1G还具备良好的热稳定性,封装设计优化了散热性能,使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至20V的Vgs电压,适用于多种驱动电路。最后,SOT-223封装形式不仅节省空间,还提高了贴装效率,适合自动化生产流程。
LBC858CWT1G在设计中采用了先进的沟槽式MOSFET结构,优化了电场分布,从而降低了开关损耗并提升了器件的可靠性。其快速开关特性使其在高频应用中表现出色,例如同步整流器、DC-DC转换器和电机控制电路。此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于现代电子产品对环保材料的要求。
LBC858CWT1G广泛应用于多种电力电子系统中,包括DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源管理模块以及各种电源供应器。其低Rds(on)和高效率的特性使其成为同步整流器和高效电源转换器的理想选择。此外,该MOSFET也适用于汽车电子系统、工业自动化控制、便携式设备电源管理以及LED照明驱动电路。在电机控制应用中,LBC858CWT1G可以作为H桥结构中的开关元件,实现高效能的电机驱动。在电池供电设备中,它可作为负载开关控制,有效延长电池寿命。
Si4410BDY-E3, FDS6680, IRF7413PBF, NDS355AN, AO4406A