时间：2025/8/14 0:29:01
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LBC858CWT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于多种高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，适用于电源管理、DC-DC转换器和负载开关等应用。LBC858CWT1G采用了小型化的表面贴装封装（如SOT-223），便于在紧凑空间内使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：8A
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：20mΩ @ Vgs=10V
功率耗散：1.6W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-223
LBC858CWT1G具有多项优异的电气特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）为20mΩ，在Vgs=10V时可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具有高电流能力，最大漏极电流可达8A，适用于中高功率应用。此外，其漏源电压（Vds）为30V，满足多种低压电源转换器的需求。LBC858CWT1G还具备良好的热稳定性，封装设计优化了散热性能，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V的Vgs电压，适用于多种驱动电路。最后，SOT-223封装形式不仅节省空间，还提高了贴装效率，适合自动化生产流程。
LBC858CWT1G在设计中采用了先进的沟槽式MOSFET结构，优化了电场分布，从而降低了开关损耗并提升了器件的可靠性。其快速开关特性使其在高频应用中表现出色，例如同步整流器、DC-DC转换器和电机控制电路。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代电子产品对环保材料的要求。
LBC858CWT1G广泛应用于多种电力电子系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源管理模块以及各种电源供应器。其低Rds(on)和高效率的特性使其成为同步整流器和高效电源转换器的理想选择。此外，该MOSFET也适用于汽车电子系统、工业自动化控制、便携式设备电源管理以及LED照明驱动电路。在电机控制应用中，LBC858CWT1G可以作为H桥结构中的开关元件，实现高效能的电机驱动。在电池供电设备中，它可作为负载开关控制，有效延长电池寿命。
Si4410BDY-E3, FDS6680, IRF7413PBF, NDS355AN, AO4406A
