类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：400V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：1.3A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2Ω（最大值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装：TO-252（DPAK）

FQD1N40TM具有多个显著的性能特点，首先是其高耐压能力，漏源电压可达400V，使得该器件适用于高电压功率转换应用。其导通电阻Rds(on)最大为2.2Ω，在Vgs=10V时能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，从而适应不同的控制电路设计。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，优化了导通和开关性能，同时减少了开关损耗。FQD1N40TM在高频率下具有良好的响应能力，适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、AC-DC电源、LED照明驱动等。TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的热性能，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和散热管理。
　　在可靠性方面，FQD1N40TM具有良好的温度稳定性和抗静电能力，可在恶劣环境中稳定工作。其工作温度范围从-55℃到+175℃，适应了各种工业级应用场景。同时，该器件的功耗额定值为50W，确保在高负载条件下仍能维持良好的性能。

FQD1N40TM被广泛应用于多个电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED驱动电源、电池管理系统（BMS）、负载开关以及马达控制电路。在电源管理领域，该器件可以用于实现高效率的功率转换，降低能耗并提高系统稳定性。在LED照明应用中，它能够作为高效的开关元件，确保光源的稳定性和长寿命。此外，FQD1N40TM也适用于工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品中的功率控制模块。

FQPF1N40、1N40、FQP1N40、IRF740、FDPF4N40