LBC858BLT1 时间：2025/8/13 5:33:40 阅读：30

LBC858BLT1 是一款常用的双极型晶体管（BJT）阵列器件，由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产。该器件包含两个独立的PNP型晶体管，采用SOT-363封装，适用于需要高集成度和紧凑设计的电路应用。LBC858BLT1因其高可靠性、低功耗和成本效益而在消费电子和工业控制领域广泛应用。

参数

晶体管类型：双PNP型晶体管
　　封装类型：SOT-363
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

LBC858BLT1的主要特性之一是其集成了两个PNP晶体管在一个小型封装中，从而减少了PCB空间占用并简化了电路设计。每个晶体管具有良好的电流放大能力，hFE范围从110到800，具体数值取决于集电极电流的大小。此外，该器件具有较高的过渡频率（fT为100MHz），使其适用于中高频的开关和放大应用。SOT-363封装具备良好的热稳定性和机械稳定性，适合在各种环境条件下工作。LBC858BLT1的低功耗设计也使其非常适合电池供电设备和节能型电子产品。

应用

LBC858BLT1广泛应用于多个领域，包括但不限于信号放大电路、逻辑电平转换、继电器驱动、LED控制、音频设备、消费电子产品以及工业控制系统。由于其集成两个晶体管的设计，LBC858BLT1也常用于构建双稳态电路、振荡器以及需要冗余设计的电路中。此外，该器件还适用于需要节省空间和提高可靠性的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。