LBC858BDW1T1G 时间：2025/5/21 19:21:28 阅读：5

LBC858BDW1T1G是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺设计。该器件适用于高效率、高频率的开关电源应用领域，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛用于DC-DC转换器、负载点调节器和电机驱动等场景。
　　其封装形式为DFN8（2mmx2mm），这种小型化封装有助于提高功率密度并减少系统体积。同时，LBC858BDW1T1G支持高效能散热管理，并具备出色的电气性能。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：7.6A
　　导通电阻（典型值）：4mΩ
　　栅极电荷：13nC
　　反向恢复时间：15ns
　　工作结温范围：-55℃ to +175℃
　　封装类型：DFN8（2mmx2mm）

特性

LBC858BDW1T1G的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，可显著降低导通损耗，提升整体效率。
　　2. 快速开关能力，能够满足高频应用需求，从而减小外部元件尺寸。
　　3. 高电流承载能力，确保在大负载条件下的稳定运行。
　　4. 良好的热性能，即使在高功耗环境下也能保持可靠性。
　　5. 小型化的DFN封装，适合对空间要求严格的现代电子设备。
　　6. 支持宽泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境。

应用

这款功率MOSFET适用于以下领域：
　　1. 开关电源中的同步整流电路。
　　2. DC-DC转换器及负载点调节器的设计。
　　3. 消费类电子产品中的电池管理模块。
　　4. 工业控制与自动化中的电机驱动电路。
　　5. 通信设备中的高效能电源解决方案。
　　6. 其他需要高效率、高频率开关操作的应用场合。