晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流 (Ic)：100 mA
　　最大集电极-发射极电压 (Vce)：30 V
　　最大集电极-基极电压 (Vcb)：30 V
　　最大功耗：300 mW
　　电流增益 (hFE)：110 至 800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

LBC857LT1G 晶体管具有多项优异的电气特性，适用于广泛的电子应用。其高电流增益（hFE）范围从110到800，使得该晶体管在不同的偏置条件下都能提供良好的放大性能，适用于各种模拟和数字电路设计。
　　该晶体管的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，具备较强的负载驱动能力，同时在高电压环境下也能保持稳定的工作状态。此外，LBC857LT1G 的饱和电压较低，有助于减少功率损耗，提高电路的能效。
　　其 SOT-23 小型封装不仅节省空间，还便于在高密度 PCB 设计中使用，适用于便携式设备和自动化生产设备。LBC857LT1G 还具有良好的热稳定性和可靠性，可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内工作，适用于严苛环境条件下的应用，如汽车电子和工业控制系统。
　　该晶体管的基极-发射极电压（Vbe）通常在 0.7V 左右，适合与多种驱动电路配合使用，如微控制器、逻辑门电路等。LBC857LT1G 的高频响应特性也使其适用于中频放大和高速开关应用。

LBC857LT1G 主要应用于通用开关电路和信号放大电路中。在数字电路中，该晶体管常用作逻辑电平转换器、继电器驱动器和LED驱动器，适用于各种嵌入式系统和自动化控制设备。
　　在模拟电路中，LBC857LT1G 可用于音频放大器的前置放大级、传感器信号调理电路以及电压调节电路。由于其高增益特性，该晶体管非常适合用于低噪声放大器和信号增强器的设计。
　　此外，LBC857LT1G 在消费电子产品中也有广泛应用，例如在智能手机、平板电脑、智能手表等设备中用于电源管理、背光控制和接口电路设计。在工业控制领域，该晶体管可用于电机驱动、继电器控制和工业自动化系统的信号处理模块。
　　在汽车电子系统中，LBC857LT1G 可用于车身控制模块（BCM）、车载娱乐系统、仪表盘显示控制和车载充电器等应用。由于其耐高温特性和良好的稳定性，该晶体管也适用于汽车发动机控制单元（ECU）中的信号处理和驱动电路。

BC847LT1G, 2N3904, PN2222A, MMBT3904