类型：NPN双极性晶体管
　　封装类型：SOT-23（TO-236）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级划分）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　集电极-基极击穿电压（VCB）：30V
　　发射极-基极击穿电压（VEB）：5V

LBC850BWT1G具有多项优良的电气和机械特性，适用于各种通用电子电路。首先，其较高的过渡频率（fT）为100MHz，使其不仅适用于低频放大，也可在中高频电路中使用。其次，该晶体管具有较宽的集电极-发射极电压耐受范围（VCEO为30V），适合多种电压等级的电路设计。
　　此外，LBC850BWT1G的电流增益（hFE）范围较广，根据不同的等级划分，其值可以从110到800不等，用户可以根据具体应用需求选择合适的增益等级。这种灵活性使其适用于不同的放大电路配置，如共发射极放大器、开关电路等。
　　由于采用SOT-23封装，LBC850BWT1G具有较小的体积，便于在高密度PCB布局中使用。同时，该封装具备良好的热稳定性和机械强度，能够适应各种工作环境。晶体管的最大功耗为300mW，适合在中低功耗应用中使用。
　　LBC850BWT1G的工作温度范围宽，最高可达150°C，使其在高温环境下仍能保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

LBC850BWT1G适用于多种电子电路，广泛用于通用开关和信号放大应用。在数字电路中，它常被用作开关元件，例如在逻辑电路、继电器驱动、LED驱动和电源管理电路中。由于其良好的电流增益特性和高频响应，该晶体管也适用于模拟放大电路，如音频前置放大器、信号调理电路和传感器接口电路。
　　此外，LBC850BWT1G还可用于电源控制、电机驱动、电平转换以及各种低功耗便携式设备中的信号处理电路。由于其SOT-23封装的小型化设计，该晶体管非常适合在空间受限的便携设备中使用，如智能手机、可穿戴设备、无线模块和消费类电子产品。

BC850B, LBC840BWT1G, 2N3904, PN2222A