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LBC850BWT1G 发布时间 时间:2025/8/13 20:21:01 查看 阅读:23

LBC850BWT1G是一款由ON Semiconductor生产的NPN型双极性晶体管(BJT),主要用于通用开关和放大应用。该晶体管采用SOT-23(TO-236)小型表面贴装封装,适合在空间受限的电路板设计中使用。LBC850BWT1G属于BC850系列的一部分,具有良好的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。

参数

类型:NPN双极性晶体管
  封装类型:SOT-23(TO-236)
  最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  最大工作温度:150°C
  电流增益(hFE):110-800(根据等级划分)
  过渡频率(fT):100MHz
  集电极-基极击穿电压(VCB):30V
  发射极-基极击穿电压(VEB):5V

特性

LBC850BWT1G具有多项优良的电气和机械特性,适用于各种通用电子电路。首先,其较高的过渡频率(fT)为100MHz,使其不仅适用于低频放大,也可在中高频电路中使用。其次,该晶体管具有较宽的集电极-发射极电压耐受范围(VCEO为30V),适合多种电压等级的电路设计。
  此外,LBC850BWT1G的电流增益(hFE)范围较广,根据不同的等级划分,其值可以从110到800不等,用户可以根据具体应用需求选择合适的增益等级。这种灵活性使其适用于不同的放大电路配置,如共发射极放大器、开关电路等。
  由于采用SOT-23封装,LBC850BWT1G具有较小的体积,便于在高密度PCB布局中使用。同时,该封装具备良好的热稳定性和机械强度,能够适应各种工作环境。晶体管的最大功耗为300mW,适合在中低功耗应用中使用。
  LBC850BWT1G的工作温度范围宽,最高可达150°C,使其在高温环境下仍能保持稳定运行,适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

LBC850BWT1G适用于多种电子电路,广泛用于通用开关和信号放大应用。在数字电路中,它常被用作开关元件,例如在逻辑电路、继电器驱动、LED驱动和电源管理电路中。由于其良好的电流增益特性和高频响应,该晶体管也适用于模拟放大电路,如音频前置放大器、信号调理电路和传感器接口电路。
  此外,LBC850BWT1G还可用于电源控制、电机驱动、电平转换以及各种低功耗便携式设备中的信号处理电路。由于其SOT-23封装的小型化设计,该晶体管非常适合在空间受限的便携设备中使用,如智能手机、可穿戴设备、无线模块和消费类电子产品。

替代型号

BC850B, LBC840BWT1G, 2N3904, PN2222A

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