LBC848BPDW1T1G 时间：2025/8/13 23:22:58 阅读：18

LBC848BPDW1T1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT-363封装。该器件适用于高性能、低电压和低功耗应用，具有较高的集成度和可靠性。LBC848BPDW1T1G的两个MOSFET通道可以独立使用，适用于多种电源管理和开关控制场合。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：100mA（每个通道）
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-363
　　引脚数：6
　　导通电阻（Rds(on)）：约10Ω（最大）
　　阈值电压（Vgs(th)）：0.45V至1.5V

特性

LBC848BPDW1T1G MOSFET具有多个突出特性，使其在低功耗和高可靠性应用中表现出色。首先，该器件采用双N沟道结构，每个通道可以独立控制，适用于需要双路独立控制的电路设计。其次，其20V的漏源电压允许在低电压系统中使用，如便携式设备和低功耗传感器系统。此外，该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）确保了在开关状态下的低功耗，提高了整体能效。
　　另一个关键特性是其SOT-363小型封装，适用于空间受限的PCB设计。这种封装形式不仅节省空间，还提供了良好的热性能，有助于在高密度电路中实现可靠的散热。LBC848BPDW1T1G还具有良好的温度稳定性，能够在宽温度范围内稳定运行，适合工业级和汽车级应用。

应用

LBC848BPDW1T1G广泛应用于多种电子系统中，包括便携式消费电子产品、电池管理系统、电源管理模块、信号开关电路、LED驱动电路以及逻辑电平转换器等。在移动设备中，它可用于控制电池供电路径或切换不同的电源模式，提高设备的能效和电池寿命。在工业自动化系统中，LBC848BPDW1T1G可作为小型继电器替代品，用于控制低功率负载的通断。此外，该MOSFET也常用于汽车电子系统中的传感器接口电路、车载娱乐系统的电源管理以及车载充电控制模块中。由于其低功耗、高集成度和小尺寸特性，LBC848BPDW1T1G也是物联网（IoT）设备和智能穿戴设备中常用的开关元件。