时间：2025/8/13 9:39:55
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LBC847BDWT1G 是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT）阵列器件，属于通用型NPN晶体管。该器件采用SOT-363封装，具有两个独立的NPN晶体管，每个晶体管均可独立使用。该芯片适用于广泛的模拟和数字电路设计，特别是在需要多个晶体管协同工作的场合。LBC847BDWT1G 具有高可靠性、低噪声和良好的热稳定性，适合用于便携式设备、工业控制、通信设备和消费类电子产品。
类型：NPN晶体管
配置：双晶体管阵列
最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：200mW
频率响应：250MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）
封装类型：SOT-363
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
LBC847BDWT1G 的主要特性之一是其双晶体管结构，可以在一个封装内提供两个独立的NPN晶体管，从而减少PCB空间占用并简化电路设计。该器件的电流增益范围较宽（110至800），可根据不同的应用需求选择合适的工作点。此外，其高频响应可达250MHz，适用于高频放大和开关应用。LBC847BDWT1G 还具有良好的热稳定性和低饱和压降，确保在不同温度条件下仍能保持稳定性能。器件的封装符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺。
在可靠性方面，LBC847BDWT1G 经过严格的测试，具有较长的使用寿命和良好的抗静电能力，适用于工业环境中的长期运行。该器件的低功耗特性使其非常适合用于电池供电设备和低功耗控制系统。
LBC847BDWT1G 广泛应用于多种电子系统中，包括便携式电子设备、音频放大电路、逻辑电平转换、LED驱动电路、继电器和电机控制电路等。由于其双晶体管结构，它常用于需要多级放大或并联工作的模拟和数字电路中。此外，该器件也常用于通信设备中的射频（RF）前端电路、信号处理模块和接口电路。在消费类电子产品中，LBC847BDWT1G 可用于传感器信号放大、逻辑控制和电源管理。工业控制领域中，该器件可用于PLC输入输出模块、继电器驱动和自动控制系统。
BC847BDSX-7-F, MMBT847, BC847B, 2N3904
