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LBC847BDW1T1G/BC847BDW1 发布时间 时间:2025/8/13 2:05:02 查看 阅读:87

LBC847BDW1T1G/BC847BDW1 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双NPN晶体管器件,属于通用型双极性晶体管(BJT)系列。该器件采用了SOT-363封装形式,适用于低功耗、中等频率的应用场景。LBC847BDW1T1G 和 BC847BDW1 是同一种器件的不同订货号,具有相同的电气特性和封装形式。该器件在工业控制、消费电子、通信设备以及信号处理电路中广泛应用。

参数

类型:NPN双极性晶体管
  最大集电极-发射极电压(Vceo):30V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大功耗(Ptot):200mW
  最大工作温度:150°C
  存储温度范围:-65°C 至 150°C
  封装形式:SOT-363(6引脚)
  电流增益(hFE):110-800(取决于工作电流)
  频率响应(fT):100MHz
  最大集电极-基极电压(Vcbo):30V
  最大发射极-基极电压(Vebo):5V

特性

LBC847BDW1T1G/BC847BDW1 是一款高性能、低功耗的双NPN晶体管,适用于广泛的模拟和数字电路应用。该器件采用SOT-363封装,具有体积小、重量轻、安装方便的特点,适合在高密度PCB设计中使用。
  其主要电气特性包括最大集电极-发射极电压为30V,最大集电极电流为100mA,适用于低功率开关和信号放大应用。该晶体管的电流增益(hFE)范围为110至800,具体值取决于工作电流,使其在不同应用场景中具有良好的适应性。此外,其频率响应高达100MHz,能够在中高频信号放大电路中表现出色。
  LBC847BDW1T1G/BC847BDW1 的封装形式为SOT-363,属于双晶体管封装类型,内部包含两个独立的NPN晶体管,共享电源和接地引脚,有助于减少PCB布局空间并提高电路集成度。该封装还具有良好的热稳定性和机械强度,适用于工业级工作环境。
  该器件的工作温度范围为-65°C至150°C,符合工业级标准,适用于各种环境条件下的稳定运行。最大功耗为200mW,能够在较低的功耗下实现高效的信号处理和开关控制功能。

应用

LBC847BDW1T1G/BC847BDW1 广泛应用于多个电子领域,适用于各种模拟和数字电路设计。常见的应用包括低功率开关电路、信号放大器、逻辑电平转换、LED驱动电路、传感器接口、音频放大电路、数据通信接口以及各种控制电路。
  在工业自动化系统中,该晶体管常用于驱动继电器、LED指示灯或小型电机等负载。在消费电子产品中,它被用于音频放大、信号处理和电源管理模块。此外,在通信设备中,LBC847BDW1T1G/BC847BDW1 可用于射频信号放大和调制电路,提供稳定的高频性能。
  由于其双晶体管结构和紧凑的SOT-363封装,该器件特别适用于需要节省PCB空间的设计,例如便携式电子设备、智能家居控制模块、物联网(IoT)设备以及嵌入式系统等应用场景。

替代型号

BC847BSLT1G, BC847BDSXKAT1G, MMBT3904LT1G, 2N3904

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