2TPE330MAFB 是一款双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-263 封装形式。该器件适用于高效率开关电源、电机驱动器以及负载切换等应用领域。其出色的 Rds(on) 特性和低栅极电荷设计能够显著降低导通损耗和开关损耗,从而提升系统性能。
该 MOSFET 的额定电压为 30V,最大连续漏极电流可达 70A(在适当的散热条件下)。它具有快速开关能力,适合高频应用,并且内置了 ESD 保护功能以提高可靠性。
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):70A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):48nC(典型值)
输入电容(Ciss):2980pF(典型值)
总功耗(Ptot):240W
工作结温范围(Tj):-55℃至+175℃
2TPE330MAFB 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),可有效减少传导损耗。
2. 快速开关速度,非常适合高频应用场景。
3. 内置 ESD 保护电路,增强了器件的鲁棒性。
4. 高电流承载能力,满足大功率需求。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装。
6. 热稳定性强,能够在极端温度范围内可靠运行。
7. TO-263 封装提供良好的散热性能。
2TPE330MAFB 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率转换。
5. 电信基础设施中的高效电源模块。
6. 电动车和混合动力汽车的电子系统。
7. LED 驱动器和逆变器设计。
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