LBC846ADW1T1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件设计用于通用开关和放大应用,具有较高的可靠性和稳定性。该晶体管采用SOT-363封装,适合用于需要小型化和高性能的应用场合。LBC846ADW1T1G广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。
晶体管类型:NPN
集电极-发射极电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):100mA
功耗(Pd):200mW
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT-363
增益带宽积(fT):100MHz
电流增益(hFE):110-800(根据档位不同)
LBC846ADW1T1G具有多个关键特性,使其在多种电子电路中表现出色。
首先,该晶体管的集电极-发射极电压(Vceo)为80V,能够承受较高的电压应力,适用于中高压应用。集电极电流(Ic)最大为100mA,适用于低至中功率的开关和放大电路。
其次,LBC846ADW1T1G的电流增益(hFE)范围较广,根据不同的档位(例如hFE等级为hFE1至hFE7),其增益值可在110至800之间变化,使其适用于不同增益要求的电路设计。
此外,该晶体管的增益带宽积(fT)达到100MHz,表明其在高频应用中仍能保持良好的放大性能。这使得LBC846ADW1T1G适用于射频(RF)和高速开关电路。
该器件采用SOT-363封装,体积小巧,适合在高密度PCB布局中使用。SOT-363封装还提供了良好的热稳定性和机械强度,确保器件在恶劣环境下仍能正常工作。
LBC846ADW1T1G的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于各种工业和汽车电子环境,确保在极端温度条件下的可靠性。
最后,该晶体管具有较低的饱和电压(VCE(sat)),通常在200mV以下,有助于减少功耗并提高电路效率。
LBC846ADW1T1G适用于多种电子应用,包括通用放大电路、开关电路、信号处理电路、逻辑电平转换、驱动LED和小型继电器等负载、音频放大器前端、射频(RF)电路以及传感器接口电路。
在消费电子产品中,LBC846ADW1T1G可用于驱动LED背光、继电器控制和电源管理电路。
在工业控制系统中,该晶体管可作为小型电机、继电器和固态继电器的驱动元件。
在汽车电子应用中,LBC846ADW1T1G可用于车身控制模块、传感器接口电路以及车载娱乐系统的信号处理部分。
此外,该器件还可用于通信设备中的射频信号放大和数据传输电路。
BC846BDW1T1G, 2N3904, BC547, MMBT3904, 2N2222