LBC817-40T1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的通用晶体管。该晶体管广泛应用于开关和放大电路中,尤其适合需要较高电流增益(hFE)和低饱和电压的应用场景。LBC817-40T1G 采用 SOT-23(小外形晶体管封装),适合表面贴装技术(SMT),便于在现代电子设备中使用。
类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):45 V
最大集电极-基极电压(Vcb):50 V
最大功耗(Ptot):300 mW
电流增益(hFE):110 至 800(根据等级划分)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23
LBC817-40T1G 晶体管具备多个优良特性,使其在各种电子电路中表现出色。首先,该晶体管的最大集电极电流为 100 mA,适合用于中等功率的开关和放大应用。其较高的集电极-发射极击穿电压(45V)和集电极-基极击穿电压(50V)确保了在较高电压环境下仍能稳定工作。
该器件的电流增益(hFE)范围为 110 至 800,分为多个等级(如 110-800,具体取决于后缀),用户可以根据具体应用需求选择合适的增益等级。这种灵活性使其适用于广泛的电路设计,包括低噪声前置放大器、数字逻辑电路的驱动和开关电路。
此外,LBC817-40T1G 采用 SOT-23 封装,体积小且易于表面贴装,适合在空间受限的 PCB 设计中使用。其最大功耗为 300 mW,确保在正常工作条件下不会因过热而失效。晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适合在各种环境条件下使用,包括工业和汽车应用。
该晶体管还具有较低的饱和电压(Vce_sat),通常在 0.2V 至 0.3V 之间(Ic=100mA 时),这有助于减少功率损耗并提高电路效率。这种特性在电池供电设备和节能系统中尤为重要。
LBC817-40T1G 主要用于需要中等电流和电压放大的电路中。常见的应用包括:逻辑电平转换、继电器和 LED 驱动、音频放大器的前置放大级、数字电路中的开关元件、电源管理电路以及各种传感器接口电路。
在工业控制和自动化系统中,该晶体管常用于控制继电器、电机和 LED 显示屏等负载。由于其高电流增益和低饱和电压特性,它也非常适合用于电源管理应用,如 DC-DC 转换器中的开关元件。
此外,在汽车电子系统中,LBC817-40T1G 可用于控制各种执行器和传感器,例如车窗升降器、灯光控制和车载娱乐系统。其宽工作温度范围和高可靠性使其成为汽车环境中的理想选择。
在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和便携式音频设备中,该晶体管可用于音频放大、电源切换和信号处理等关键电路。
BC817-40, PN2222A, 2N3904, MMBT3904, 2N2222A