晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　最大工作温度：150 °C
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据工作电流不同）
　　噪声系数（NF）：2.5 dB（典型值，100 MHz）
　　匹配频率范围：50 MHz ~ 1 GHz

LBAW99WT1G 具备多项适用于射频应用的优良特性。首先，它具有高过渡频率（fT）达到250 MHz，使得该晶体管能够在较高的频率下保持良好的增益和放大性能，适用于射频信号处理电路。其次，该晶体管的噪声系数较低，典型值为2.5 dB，在100 MHz工作频率下表现出色，这使其非常适合用于低噪声前置放大器等对信号完整性要求高的应用。
　　该器件的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800不等，且会随工作电流变化而变化，提供良好的设计灵活性。此外，LBAW99WT1G 采用 SOT-23 小型封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，同时具备良好的热稳定性和机械强度。
　　该晶体管的集电极-发射极和集电极-基极耐压均为30 V，使其在较宽的电压范围内稳定工作，不易受到电压波动的影响。最大集电极电流为100 mA，适用于低至中功率的射频放大和信号处理任务。其最大功耗为300 mW，支持在较高温度环境下运行，同时具备150°C的最大工作温度，确保其在各种工业环境中的可靠性。
　　LBAW99WT1G 的设计还考虑了与其他射频元件的兼容性，其输入和输出阻抗特性易于匹配，有助于简化射频电路的设计和优化。这使得该晶体管在射频前端模块、混频器、调制器和解调器等应用中具有较高的实用价值。

LBAW99WT1G 主要应用于射频通信系统中的低噪声放大器（LNA）设计，特别是在无线接收器前端，用于放大微弱信号以提升系统的整体性能。它也常用于射频混频器、调制解调器、频率合成器和中继器等电路中，适用于各类无线通信设备，如蜂窝基站、Wi-Fi 路由器、蓝牙模块和射频识别（RFID）系统。
　　由于其优良的高频特性和低噪声系数，LBAW99WT1G 还可用于测试设备和测量仪器中的射频信号处理模块。此外，该晶体管也适合用于汽车电子系统中的射频模块，如车载通信和远程信息处理系统。在工业和消费类电子产品中，LBAW99WT1G 也被广泛用于构建高效的射频发射和接收链路。

PN2222A, BFQ54, BFR181W, BFG21, BFY51