LBAV70N3T5G 时间：2025/8/13 13:42:57 阅读：29

LBAV70N3T5G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为需要高效率、高可靠性和高频率工作的应用而设计，具有低导通电阻和良好的热性能。该MOSFET采用先进的沟槽技术，以提供更高的功率密度和更小的封装尺寸。LBAV70N3T5G广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等电力电子系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：70A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为5.5mΩ（典型值更低）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：D2PAK（TO-263）

特性

LBAV70N3T5G具备多项优越特性，适用于高性能功率转换系统。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率，特别适用于大电流应用。其次，该器件采用先进的沟槽式MOSFET工艺，能够在保持高性能的同时实现紧凑的封装设计，节省PCB空间。
　　此外，LBAV70N3T5G的最大漏极电流可达70A，使其能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度设计。其最大漏源电压为30V，适用于中低电压功率转换应用，如同步整流、负载开关和电机驱动器。
　　该MOSFET的栅源电压范围为±20V，具有较强的栅极驱动兼容性，适用于多种驱动IC和控制器。同时，其宽工作温度范围（-55°C至+175°C）确保了在极端环境下的稳定性和可靠性，适用于工业和汽车电子等严苛应用场景。
　　封装方面，LBAV70N3T5G采用D2PAK（TO-263）封装，具有良好的散热性能，能够有效传导和散发工作过程中产生的热量，提升器件的热稳定性。这种封装形式也便于自动化生产和表面贴装，适用于现代电子制造流程。

应用

LBAV70N3T5G主要应用于各类功率电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制模块和电池管理系统。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于同步降压转换器中的高边或低边开关。在工业自动化和电源管理系统中，该器件可用于高效能电源分配和负载切换。此外，在电动汽车、电动工具和储能系统中，LBAV70N3T5G也能提供稳定可靠的功率控制能力。