容量：32Mbit
　　接口类型：SPI
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　最大时钟频率：80MHz
　　封装类型：8-SOIC
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储单元数量：4M x 8
　　擦除块大小：4KB、32KB、64KB
　　编程方式：页编程（Page Program）
　　擦除时间：1ms 典型值（页）
　　读取数据率：80MHz
　　写保护功能：软件和硬件写保护
　　JEDEC 标准：支持 JEDEC JEP106 标准
　　封装尺寸：150mil

W25Q32BVSSJG TR 的主要特性之一是其高效的存储管理机制。该芯片支持多种擦除操作，包括按页（4KB）、块（32KB 或 64KB）以及整体擦除（Chip Erase），用户可以根据应用需求灵活选择，从而提高系统效率并延长芯片使用寿命。其页编程功能支持单字节到256字节的数据写入，提升了数据存储的灵活性。
　　此外，W25Q32BVSSJG TR 提供了强大的安全特性，包括软件和硬件写保护功能，可防止意外写入或擦除操作，确保关键数据的安全性。它还支持连续读取模式，能够提高数据访问速度，满足实时数据读取需求。
　　在性能方面，该芯片支持高达80MHz的SPI时钟频率，提供快速的数据读取速度，适用于需要快速启动或频繁读取的应用场景，如固件存储、图形数据缓存和系统日志记录等。其低功耗设计在待机模式下电流消耗极低，适合电池供电设备使用。
　　可靠性方面，W25Q32BVSSJG TR 具有高耐久性，支持10万次擦写循环，并具有20年的数据保留能力。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应各种严苛环境条件下的稳定运行。

W25Q32BVSSJG TR 主要应用于需要中等容量非易失性存储的嵌入式系统，如微控制器（MCU）启动代码存储、固件存储、图像和音频数据缓存、工业自动化设备、智能电表、医疗设备、通信模块、物联网（IoT）设备以及消费类电子产品（如智能穿戴设备和智能家居控制器）等。
　　由于其高速SPI接口和低功耗特性，该芯片也常用于需要快速启动和数据存储的场合，例如汽车电子系统中的ECU（电子控制单元）程序存储、车载导航系统、无线模块固件更新等场景。

W25Q32JVSSJG TR
　　W25Q32JVIM
　　W25Q32FVSSJG TR