时间：2025/8/13 8:53:59
阅读：31
LBAT54WLT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性硅二极管，专为高频开关应用设计。该器件采用了SOT-23封装，具有紧凑的外形和优良的电气性能，适用于需要快速恢复时间的电路中。LBAT54WLT1G的主要特点是其低正向电压降和高可靠性，使其成为许多电子设备中理想的开关二极管。
类型：双极性硅二极管
封装类型：SOT-23
最大重复峰值反向电压：30V
最大正向电流：100mA
最大正向电压降：1.2V
最大反向电流：100nA
工作温度范围：-55℃至+150℃
存储温度范围：-65℃至+150℃
LBAT54WLT1G二极管具有多种优良特性，使其在各种应用中表现出色。首先，它的最大重复峰值反向电压为30V，这使得它能够承受较高的电压应力，适用于多种电源和信号处理电路。其次，最大正向电流为100mA，这使得它在低功率应用中表现出色，同时保持较低的功耗。该器件的最大正向电压降为1.2V，较低的电压降意味着更少的能量损失和更高的效率。
此外，LBAT54WLT1G的最大反向电流为100nA，这表明其在反向偏置状态下具有极低的漏电流，这对于保持电路的稳定性和减少不必要的功耗非常重要。该二极管的工作温度范围从-55℃到+150℃，使其能够在极端温度条件下可靠工作，适用于工业和汽车等严苛环境中的应用。SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和安装，提高了生产效率和可靠性。
LBAT54WLT1G广泛应用于各种电子设备和系统中，包括电源供应器、信号处理电路、自动控制系统、汽车电子设备以及便携式电子产品。其快速恢复时间和低正向电压降使其特别适合用于高频开关电路和低功耗设计中。
BAT54W, BAS32, 1N4148
